北京市自然科学基金(2092020)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 氢致绝缘铁氧体材料电学改性研究
- 2010年
- 研究了在电化学原子氢作用下绝缘NiZnCu铁氧体陶瓷的电阻和介电性能变化,并研究了电化学原子氢处理所用阴极电流密度(30~120 A.m-2)和温度(20~60℃)对氢致半导化的影响。研究结果表明,在原子氢处理初期,绝缘N iZnCu铁氧体陶瓷电阻率急剧下降,出现半导化,然后随处理时间延长而下降减缓,并逐渐趋稳;介电常数随原子氢处理时间延长而逐渐增加,达到一个极大值后,又出现下降。电流密度与温度对铁氧体半导化的速率和程度的影响没有简单的单向关系。在120 A.m-2,40℃下进行原子氢处理时,铁氧体电阻率降低最快,在2 m in内从8.29×108Ω.m下降到1.32Ω.m,下降了近9个数量级,且电阻率下降趋稳后的取值最小。从氢致N iZnCu铁氧体陶瓷半导化的过程,即吸附-侵入-扩散理论解释了温度以及电流密度对半导化的影响。并从电化学原子氢对铁氧体的掺杂和化学反应作用,对NiZnCu铁氧体绝缘陶瓷电阻和介电性能的变化进行了探讨。
- 王兰花曹江利张力乔利杰古宏伟王雨
- 关键词：铁氧体氢半导化介电性能
- Al_2O_3/Au/Al_2O_3层状阻氚薄膜
- 2012年
- 采用磁控溅射法在316L不锈钢基体上分别沉积单层Al2O3膜、单层Au膜以及Al2O3/Au/Al2O3层状薄膜。采用气相渗透法在500℃,氘分压为0.06 MPa条件下测试了薄膜的阻氘性能。结果表明,3种薄膜氘渗透后,薄膜的形貌良好,无开裂、无剥落的现象,氘渗透率减低因子均比316L不锈钢基材增大一个数量级以上,阻氘效能按单层Al2O3膜、单层Au膜以及Al2O3/Au/Al2O3层状薄膜依次递升。Al2O3/Au/Al2O3层状薄膜的优异阻氘效能可归因于,延性的Au夹层使层状薄膜的力学性能得到显著提高;Al2O3层能阻止Au与基体间互扩散,使Au能充分发挥阻氘效能。本研究表明,由贵金属与陶瓷阻氚材料构成的层状薄膜是发展阻氚涂层的新途径。
- 汤波楷何业东曹江利唐涛饶咏初
- 关键词：金
