国家教育部博士点基金(20020698014)
- 作品数：24 被引量：287H指数：6
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术自然科学总论更多>>
- 钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究被引量：4
- 2005年
- 采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。
- 曾凡光刘兴辉朱长纯王文卫
- 关键词：钴多孔硅场发射
- 用声表面波器件实现小波变换的研究
- 2005年
- 当声表面波叉指换能器的指条重叠包络按照小波函数的包络设计时,得到的声表面波叉指换能器脉冲响应函数等于小波函数,从而制造出了声表面波式小波变换器件。本文提出了利用两只声表面波式小波变换器件构造小波变换重构器件的新方法。对器件误差的来源作了分析,提出减小误差的方法。
- 刘清洪卢文科
- 关键词：声表面波叉指换能器
- 一种硅/二氧化硅双层微悬臂梁温度传感器被引量：4
- 2003年
- 利用 IC工艺和微机械加工技术制作了一种硅 /二氧化硅双层微悬臂梁温度传感器。基于硅和二氧化硅两种材料热膨胀系数的差异 ,不同温度下梁的挠度不同 ,其形变可通过位于梁根部的压敏电桥检测。理论计算和实验结果表明 :压敏电桥输出电压与温度成线性关系。对器件结构进行了优化设计 ,实验探索了提高传感器测量重复性的时效处理工艺。该温度传感器可用于瞬态温度的测量。
- 韩建强朱长纯刘君华魏培永
- 关键词：温度传感器时效处理微机械加工
- 声表面波式小波变换阵列器件频带连续性的研究被引量：1
- 2004年
- 针对声表面波式小波变换阵列器件频带不连续或重叠的问题 ,在尺度二进离散基础上 ,对基波中心频率和基波频宽半径在不同关系下对频带覆盖因子的影响进行了研究 ,提出基波中心频率等于 3倍基波频宽半径 ,声表面波式小波变换阵列器件实现频带连续且频带覆盖因子等于 10 0 %的设计方案 .根据这种方案设计的声表面波式小波变换阵列器件 ,不仅在 - 3dB处实现了频带的完全连续 ,解决了选择基波中心频率大于或小于 3倍基波频宽半径时频带不连续而造成分析信号漏检和必须使用大量器件来实现不必要重叠频带的问题 ,而且使阵列器件的变换尺度、中心频率。
- 文常保朱长纯卢文科刘君华
- 关键词：小波变换声表面波频带
- 用机械破碎方法提高印刷碳纳米管薄膜的场发射性能被引量：16
- 2005年
- 提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜场发射特性的后处理方法,用机械压力通过隔离层对附着于CNTs表面的无机物进行原位破碎,并用高速气流清洁薄膜表面.同其他方法相比,机械破碎方法既不会在处理后的阴极表面留下残留物,也不会使薄膜受损.场发射特性测试表明,与未处理薄膜相比,经过处理的CNTs薄膜的开启场强从2.7V/μm降低到1.7V/μm,同样面积的薄膜(印刷面积为40mm×40mm)在4.2V/μm场强下的发射电流由70μA提高到了950μA,说明机械破碎处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值.
- 曾凡光朱长纯刘兴辉刘卫华
- 关键词：碳纳米管薄膜场发射后处理方法场发射显示器
- 印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究被引量：1
- 2006年
- 对基于印刷碳纳米管(CNT)薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究。微观分析结果表明,器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的。印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生。通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理,有效地预防了真空击穿的发生,并使薄膜的场发射均匀性得到提高,证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用。
- 曾凡光朱长纯刘卫华刘兴辉
- 关键词：丝网印刷碳纳米管薄膜场致发射老炼可靠性
- MWCNT-WO_3薄膜双声路SAW NO_2气体传感器被引量：5
- 2008年
- 以金属钨粉,H2O2,CH3OH和多壁碳纳米管(MWCNT)为原料,在双声路声表面波(SAW)器件的测量声路上制作了MWCNT-WO3薄膜,提出并实现了一种MWCNT-WO3薄膜双声路SAW NO2气体传感器。由于MWCNT和WO3对NO2气体都有敏感作用,而且碳纳米管的毛细作用、以及MWCNT的加入都增加了气体的接触面积,提高了NO2气体的吸附和敏感作用。同时,SAW器件的双声路结构消除了由于外界测量条件改变引起的测量误差,也进一步提高了传感器的可靠性和准确性。实验结果表明,该传感器对各种浓度的NO2气体具有好的响应特性,在31.2×10-9到20×10-6范围内,传感器的响应灵敏度为9.8kHz/1×10-6,比单一MWCNT或WO3薄膜对NO2气体具有更好的灵敏度和线性特性。
- 文常保朱长纯巨永锋邱彦章许宏科刘君华
- 关键词：声表面波器件MWCNTWO3传感器
- 小波变换式小电流传感器的研究被引量：1
- 2003年
- 采用霍尔检零原理(即闭环原理)推导出了霍尔检零系统的稳态误差表达式,得出了在霍尔检零系统中放大器的放大倍数越大稳态误差越小的结论.把小波变换技术应用到小电流传感器中,构造的声表面波换能器脉冲响应函数等于小波函数,从而制造出了声表面波式小波变换及重构器件,该器件可有效滤除小电流传感器的干扰信号.霍尔检零系统可以补偿温度和霍尔元件恒流源电流的变化对测量的影响.
- 卢文科朱长纯刘君华文常保鲁坚丘
- 关键词：小波变换小电流传感器
- 声表面波式小波变换阵列器件的延时补偿方案(英文)被引量：3
- 2006年
- 针对声表面波式小波变换阵列中各个尺度器件之间时间不同步的问题,提出补偿输入和输出叉指换能器之间距离,实现时间同步的延时补偿方案。该方案利用了声表面波在晶体基片表面的延时特性,通过在声表面波器件内部进行延时补偿,确保了各个尺度器件在触发信号作用下具有相同的响应时间,避免了由于时间不同步造成阵列器件的小波变换输出结果具有不正确时频特性的问题,推导并给出了对阵列器件进行延时时间补偿的参数计算公式。最后,以一个具体声表面波式小波变换阵列器件的延时补偿为例,说明了该延时补偿方案的有效性。
- 文常保朱长纯刘君华卢文科刘清洪
- 关键词：延时时间同步小波变换声表面波
- 基于多条耦合器的双声路声表面波气体传感器被引量：5
- 2008年
- 针对目前声表面波气体传感器在消除外界因素干扰及抑制体声波中存在的问题,提出一种基于多条耦合器的双声路声表面波气体传感器结构。由于该传感器中的双声路结构关于输入小波换能器左右对称,且具有相同的设计参数,所以该传感器可以消除由于外界测量条件改变而引起的扰动量。同时,由于将具有体声波抑制功能的多条耦合器应用到传感器中,所以能够对造成假响应信号的体声波进行有效地抑制。此外,该传感器中的输入换能器采用了小波函数包络进行加权,所以与传统等指长、等周期的均匀换能器相比提高了对频率响应曲线中旁瓣的抑制效果。中心频率为101.764 MHz SO2气体传感器的实现和测量结果表明,该气体传感器在测量范围内,对各种浓度的SO2气体具有好的响应特性:传感器在0.5×10-6到20×10-6浓度范围内,SO2气体浓度与输出频率参量信号之间具有比较理想的线性特性,测量的灵敏度约为6.5 kHz/10-6。
- 文常保朱长纯刘君华巨永锋许宏科
- 关键词：声表面波器件气体传感器小波体声波
