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基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成(英文): 2005年; 报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37 mA;100 mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3·5 mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15 %) ,调制器偏压在0 ^-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4·4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.; 张靖李宝霞赵玲娟王保军周帆朱洪亮边静王圩; 关键词：可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂

在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导(英文)被引量：1: 2006年; 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单.; 杨华朱洪亮谢红云赵玲娟周帆王圩; 关键词：共面波导高阻硅高频光电子封装

超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源被引量：6: 2006年; 采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feed backlaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率为4·5mW,在5V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10GHz、半高宽(full_width_at_half_maximum,FWHM)为13·7ps的超短光脉冲.; 赵谦潘教青张靖周光涛伍剑周帆王宝军王鲁峰王圩; 关键词：超低压集成光电子器件超短光脉冲

利用MOVPE选区外延生长InGaAsP(英文): 2003年; 研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质 .; 邱伟彬董杰王圩周帆; 关键词：MOVPE INGAASP

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文): 2004年; 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中。; 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰; 关键词：宽带偏振不灵敏消光比

渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料: 2006年; 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.; 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩; 关键词：超低压

Integrated electroabsorption-modulated DFB laser by using an improved butt-joint method被引量：2: 2004年; An improved butt coupling method is used to fabricate an electroabsorption modulator (EAM) monolithi-cally integrated with a distributed feedback (DFB) laser. The obtained electroabsorption-modulated laser (EML) chip with the traditional shallow ridge exhibits very low threshold current of 12 mA, output power of more than 8 mW, and static extinction ratio of -7 dB at the applied bias voltage from 0.5 to -2.0 V.; 李宝霞胡小华朱洪亮王宝军赵玲娟王圩

使用传统工艺实现1.55μm激光器与模斑转换器的单片集成(英文): 2005年; 采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1 55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件.其中激光器采用脊型双波导,模斑转换器采用掩埋双波导结构,水平楔型的有源波导和宽而薄的无源波导同时控制光斑模式大小.实验测得器件的阈值电流为40mA,斜率效率为0 35W/A,水平和垂直方向的远场发散角分别为14 89°和18 18°,与单模光纤的耦合损耗为3dB.; 侯廉平王圩朱洪亮; 关键词：激光器模斑转换器光电子集成光耦合

采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布被引量：1: 2007年; 设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦合效率.; 杨华朱洪亮潘教青冯文谢红云周帆安欣边静赵玲娟陈娓兮王圩; 关键词：光场分布

电吸收调制器和DFB激光器一种改进的双有源层堆积集成方法(英文)被引量：2: 2004年; 提出了一种改进型的双有源层堆积方法制作单片集成电吸收调制的 DFB激光器 ,报道了器件的制作过程和主要性能 ,初步结果为 :阈值电流 38m A ,激光器在 10 0 m A下出光功率 4 .5 m W左右 ,调制器消光比约 9d B(从+0 .5 V到 - 3.0 V) .对比此前国外报道的具有常规双量子阱堆层结构的器件结果 (出光功率仅 1.5 m W) ,我们制作的器件的出光功率有了明显的提高 .; 胡小华李宝霞朱洪亮王宝军赵玲娟王鲁峰王圩; 关键词：多量子阱电吸收调制器分布反馈激光器单片集成

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