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辽宁省高等学校优秀人才支持计划(2009R23)
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1
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相关作者:
肖娜
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Co-W磁性薄膜应变对其有效磁晶各向异性能的影响
2012年
利用磁控溅射在250℃的MgO(220)单晶基片上先后沉积Cr(100 nm)下底层和不同厚度(9~80 nm)的Co-11%W(原子分数)磁性层,二者取向附生生长关系为Cr(112)[111]∥Co-W(1010)[1210]和Cr(112)[110]∥Co-W(1010)[0001].随着膜厚的增加,Co-W在薄膜面内的压应变(ε<0)由-0.388 4%减小到-0.271 1%,Co-W在薄膜法线方向拉应变(ε>0)从0.781 3%减小到0.544 5%,相应地其有效磁晶各向异性能一级常数Ke1ff由3.82×106减小到2.58×106erg/cc.该结果表明通过设计磁性层和下底层之间的应变状态,可以达到调节磁记录介质有效磁晶各向异性能的作用.
秦高梧
肖娜
李松
任玉平
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磁记录介质
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