武汉市科技攻关计划项目(20061002037)
- 作品数：2 被引量：13H指数：2
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- 电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜被引量：5
- 2010年
- 以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉中,在外加电场辅助条件下,在氮气气氛下对薄膜样品进行退火制备多晶硅薄膜。本论文研究了不同外加电场强度和退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响。利用XRD、SEM和Raman等测试方法对薄膜样品的晶相结构、表面形貌和晶化程度进行了表征。实验结果表明,在外加横向电场辅助铝诱导晶化的条件下,非晶硅薄膜在500℃低温下成功地转化成多晶硅薄膜,并且随着横向电场强度的增大以及退火时间的延长,薄膜的晶化程度增强,晶粒尺寸增大。
- 夏冬林王慧芳石正忠张兴良李蔚
- 关键词：非晶硅薄膜多晶硅薄膜金属诱导晶化等离子体增强化学气相沉积
- 热处理对电沉积制备ZnS薄膜物相组成及光学性能的影响被引量：8
- 2010年
- 采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相组成和光学性能的影响。结果表明:电沉积制备的ZnS薄膜呈非晶态,并且含有单质Zn。硫化热处理可以改善薄膜的结晶状况,减少杂质Zn的含量。硫气氛中450℃热处理4 h之后,薄膜中单质Zn全部反应生产ZnS,得到了纯的ZnS薄膜。没有经过热处理的薄膜,其可见光透射率在70%左右,热处理后薄膜样品的透射率降低,在硫气氛中热处理4 h的样品,其可见光透射率最低,为50%左右,热处理条件对薄膜样品的禁带宽度值基本没有影响。
- 夏冬林石正忠张兴良王慧芳刘俊
- 关键词：ZNS薄膜电沉积光学性能
