国家重点基础研究发展计划(TG2000036503)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 相关作者：谭长华许铭真段小蓉王彦刚石凯更多>>
- 相关机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 衬底负偏置对FLASH器件耐久性退化的影响
- 2006年
- 研究了ETOXTM结构FLASHmemory单元器件在VFG≈VD/2的热载流子写入应力条件下,衬底负偏置对单元器件耐久性退化的影响.结果表明:在既定的栅、漏偏置条件下,随着衬底负偏置的增加,器件耐久性退化会出现极小值.综合考虑了器件耐久性退化以及写入效率两方面的要求以后,确定了在VFG≈VD/2热载流子写入应力模式下,FLASHmemory单元器件具有增强写入效率以及最小耐久性退化的最佳衬底负偏置条件.
- 石凯许铭真谭长华
- 关键词：FLASHMEMORY热载流子耐久性碰撞电离
- 基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟被引量：1
- 2006年
- 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公式能够在较大的电压范围(-4～+3V)模拟氧化层SBD后的栅电流和衬底电流的电流电压特性,为超薄栅氧化层可靠性的研究提供了一个较为简便的公式.
- 王彦刚许铭真谭长华段小蓉
- 关键词：软击穿超薄栅氧化层
- 超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质
- 2006年
- 利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.
- 许铭真谭长华段小蓉
- 关键词：软击穿
- 用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导
- 2005年
- 研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
- 许铭真谭长华何燕冬段小蓉
