国家自然科学基金(50703012)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究
- 2008年
- 采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET)。对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为p型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。
- 覃东欢刘红梅陶洪兰林峰陈军武曹镛
- 关键词：纳米线场效应晶体管
- 纳米氧化锌的制备及其与MEH-PPV共混光电池器件性能研究被引量：4
- 2008年
- 利用溶胶-凝胶法,以醋酸锌为前驱体,制备了纳米ZnO颗粒及纳米棒,用TEM和XRD分别研究了ZnO纳米的形貌和结构特征;用旋涂及热蒸镀的方法将纳米ZnO和聚苯乙烯撑(MEH-PPV)的混合体制成有机-无机复合光电池薄膜器件。结果表明,MEH-PPV的荧光随着ZnO含量的增加出现明显的淬灭现象,器件在标准模拟太阳光照射下,获得了1.0%的能量转化效率,和国际报道的ZnO-聚合物共混太阳能电池1.6%的能量转化效率接近。
- 覃东欢陶洪赵云周健伟罗潺
- 关键词：纳米ZNO有机-无机复合光电性能
- 三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性被引量：1
- 2008年
- 采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明,这种硒纳米线为p型半导体。
- 赵云陶洪兰林峰覃东欢曹镛
- 关键词：光刻场效应晶体管
- CdSe纳米晶／MEH—PPV复合型光电池研究
- 2009年
- 采用单前驱体热解法、高温微乳液法合成了高质量的CdSe纳米晶，将CdSe纳米晶按照一定比例与聚苯乙烯撑（MEH—PPV）共混制成光电池，利用TEM、XRD等研究了纳米晶的形貌结构特征，结果显示，所合成的半导体CdSe纳米晶为闪锌矿结构，直径在3-5nm之间，复合光电池最好的器件能量转化达到0．85％，
- 刘红梅覃东欢陶洪韩丽丽陈军武
- 关键词：有机-无机复合太阳能电池CDSE纳米晶
