江苏省“六大人才高峰”高层次人才项目(2010-JXQC069)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- Si基ZnO纳米结构太阳能电池光伏性能研究被引量：2
- 2012年
- 在洁净的p型Si片上通过旋涂法组装了单层有序排列的聚苯乙烯微球(Polystyrene spheres,PS)阵列模板,然后在PS模板上旋涂1层ZnO先驱薄膜,清洗掉PS模板,制得周期性ZnO先驱薄膜点阵,再通过水热法生长ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对样品进行表征,结果显示ZnO薄膜为柱状ZnO阵列,基于Si衬底沿c轴择优生长。以150W氙灯为模拟光源,照射Si/ZnO异质结太阳能电池器件,通过万用电表测试其伏安特性。性能最好的样品的光电转换效率为1.23%,填充因子为62%。
- 花银群孙海峰刘海霞叶云霞颜红
- 关键词：ZNO纳米棒太阳能电池光电转换聚苯乙烯微球
- 离子替换对BMN基焦绿石陶瓷性能的影响
- 2012年
- 采用固相法制备BiLiMg(NbxMx)O系BMN基陶瓷样品。分别研究了Zr4+离子、Sn4+离子和Ti 4+离子替代Nb5+离子对BMN陶瓷性能的影响。结果表明,Zr4+离子、Sn4+离子和Ti 4+离子替代量较小时,相结构为单一焦绿石结构。随着Zr4+离子、Sn4+离子替代量的增加,样品中空隙增多;Ti 4+离子替代量将直接影响样品中晶粒的生长方向,对样品中空隙影响不明显。介电性能方面,不同替换离子介电性能最佳状态出现在不同替换量的情况下(m为比例系数):在Zr4+离子替换量为2m时,介电常数为177.4177,介电损耗为0.00034;Sn4+离子替代量为1m时,介电常数为174.9671,介电损耗为0.00038;Ti 4+离子替代量为4m时,介电常数为188.4959,介电损耗为0.00027。
- 花银群崔晓刘海霞黄新友
- 关键词：固相法介电常数介电损耗
- 磁控溅射参数及基片材料对铜薄膜结合强度的影响被引量：3
- 2013年
- 采用不同的溅射工艺参数及基片材料制备了铜薄膜,用划痕法测试了薄膜结合强度,研究了溅射功率、溅射气压、溅射时间、基片温度及基片材料对铜薄膜结合强度的影响。结果表明,在功率85W,溅射气压1.5 Pa,时间30 min,基片温度150℃的条件下,薄膜结合强度为26.9 N。与硅片相比,玻璃表面的铜薄膜具有更高的结合强度。
- 陈瑞芳倪泽炎花银群薛青
- 关键词：铜薄膜直流磁控溅射
- 基于磁控溅射制备的纳米铜薄膜的激光微冲击试验被引量：1
- 2013年
- 应用激光微冲击强化处理技术,对不同磁控溅射参数下制备的纳米铜薄膜进行了强化处理,并对其表面形貌、硬度、弹性模量进行了测试和分析.结果表明:纳米铜薄膜经激光微冲击处理后,SEM显示薄膜表层的铜晶粒发生了明显的塑性形变,在厚度方向上被压平,晶粒边界处的细小空隙被填充,表面变得致密,颗粒尺寸明显增大.在每组试样的冲击区和非冲击区进行了多组纳米压痕试验,以确定冲击后铜薄膜力学性能的变化.经测试,各组试样冲击处理的条件不同,薄膜力学性能变化有所差异;硬度最小的也增加了38.84%,硬度增加最大的达到106.58%;弹性模量最小提高了14.62%,弹性模量最大提高了134.82%.
- 刘海霞叶云霞薛青陈瑞芳花银群
- 关键词：激光冲击磁控溅射显微硬度
- 氧化铋薄膜的制备及退火温度对其物相和表面形貌的影响被引量：1
- 2013年
- 采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50 mm、厚度为3 mm的Bi_2O_3陶瓷靶,利用该陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)基体上制备了氧化铋薄膜,研究了溅射压力为0.8 Pa时的氧分压对薄膜物相的影响,并探讨了退火温度(350～550℃)对薄膜的物相和表面形貌的影响。结果表明:随着氧分压从0增大到0.36 Pa,薄膜由BiO相逐渐变成α-Bi_2O_3相;随着退火温度的升高,薄膜中出现了新的物相,仍为多相结构,不同相的衍射峰半高宽变化有增有减;薄膜的晶粒尺寸随退火温度的升高而增大。
- 陈瑞芳徐瑞丽刘海霞花银群崔晓
- 关键词：氧化铋磁控溅射退火温度
