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中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2011J029)
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
相关作者:
戴丽萍
钟志亲
王姝娅
葛微微
张国俊
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相关机构:
电子科技大学
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
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张国俊
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2012
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覆有BST膜的半导体功率器件结终端研究
被引量:4
2012年
通过一系列的工艺步骤,在半导体功率器件含有场限环(FLR)的结终端上覆盖了一层300 nm厚、介电常数高的钛酸锶钡(BST)膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行了研究比较。结果表明,在覆盖BST膜后,FRL结终端的结构击穿电压提高了50%。这证明BST膜能够提高器件的击穿电压。
葛微微
张国俊
钟志亲
王姝娅
戴丽萍
关键词:
半导体功率器件
结终端
场限环
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