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国家重点基础研究发展计划(2007CB935402): 作品数：11 被引量：17H指数：4; 相关作者：吴谊群孙华军侯立松王阳姜来新更多>>; 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所中山大学华中科技大学更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院院地合作项目更多>>; 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

Optical characterization of antimony-based bismuth-doped thin films with different annealing temperatures: 2011年; Antimony-based bismuth-doped thin film,a new kind of super-resolution mask layer,is prepared by magnetron sputtering.The structures and optical constants of the thin films before and after annealing are examined in detail.The as-deposited film is mainly in an amorphous state.After annealing at 170-370℃,it is converted to the rhombohedral-type of structure.The extent of crystallization increased with the annealing temperature.When the thin film is annealed,its refractive index decreased in the most visible region,whereas the extinction coefficient and reflectivity are markedly increased.The results indicate that the optical parameters of the film strongly depend on its microstructure and the bonding of the atoms.; 逯鑫森吴谊群王阳魏劲松; 关键词：退火温度超分辨率

无机相变信息存储材料研究新进展被引量：1: 2008年; 硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点。与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用。总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景。; 孙华军侯立松魏劲松吴谊群; 关键词：相变材料改性

Optical Switch Formation in Antimony Super-Resolution Mask Layers Induced by Picosecond Laser Pulses被引量：5: 2010年; 翟凤潇左方圆黄欢王阳赖天树吴谊群干福熹; 关键词：皮秒激光脉冲激光薄膜

Sb_(80)Bi_(20)相变薄膜的非线性光学响应被引量：5: 2010年; 利用磁控溅射法在K9玻璃基底上制备了SiN/Sb80Bi20/SiN相变薄膜结构,并利用连续He-Ne激光共焦Z-扫描技术同时测量了在激光作用下透射和反射非线性光学响应。实验结果表明,相变膜在激光焦点处的反射和透射信号由于薄膜的相变表现为非线性响应特性。薄膜在焦点处的透射信号强度随着扫描激光功率的增强逐渐增大直至饱和。这是由于在激光的作用下形成了相变微区,随着扫描功率的增加,相变区域逐渐变大引起的。对不同功率激光扫描后的样品进行了低于相变阈值的重复扫描实验,结果表明,相变区域具有较高的光热稳定性,说明BiSb相变薄膜具有相变数据存储潜在应用价值。; 翟凤潇姜来新王阳干福熹; 关键词：相变非线性光学响应

沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响(英文)被引量：1: 2010年; 在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。; 孙华军侯立松缪向水吴谊群; 关键词：GE2SB2TE5薄膜沉积温度

Ge_2Sb_2Te_5非晶薄膜中超快载流子动力学的飞秒分辨反射光谱研究被引量：2: 2009年; 利用飞秒时间分辨抽运-探测反射光谱技术研究了室温下Ge2Sb2Te5非晶薄膜中载流子超快动力学及其激发能量密度依赖性.发现光激发后0.5ps时间内,反射变化率降到最小值,然后开始迅速增加,在几个皮秒时间内达到大于初始反射率的新的最大值.反射率的减小量、增加量和增加速率均随激发能量密度的增大而增加.利用高密度等离子体的Auger复合及其感应的晶格加热模型较好地定量解释了反射率由最小到最大的快速变化过程,表明高密度等离子体的Auger复合加热导致的热效应可能是超快激光诱导相变发生的主要机制.; 左方圆王阳吴谊群赖天树

膜厚对Sb_2Te_3薄膜光学性质的影响被引量：4: 2011年; 超分辨近场结构光存储技术(Super-RENS)是一种利用功能薄膜结构实现突破光学衍射极限的信息点记录和读取的新技术,作为超分辨光盘结构的掩膜材料是决定其性能的关键。利用透射电子显微镜研究了可作为超分辨光盘掩膜层Sb2Te3薄膜的晶态结构、表面形貌;利用光谱仪和椭偏仪分析了其光学性质随膜厚的变化。结果表明,沉积态Sb2Te3薄膜呈弱晶状态,在一定厚度范围内,其光学性质随膜厚的不同有较大变化。当膜较薄时,其消光系数和折射率随膜厚的增加而减小;当膜厚达到一定值时,其光学常数随膜厚的增加逐渐趋于稳定,即存在膜厚影响临界值。消光系数和折射率的膜厚影响临界值分别在80nm和50nm左右。薄膜的光学性质与膜厚的关系可以用薄膜结构的连续性来解释。; 张奎耿永友吴谊群顿爱欢李豪; 关键词：光学性质膜厚

激光辐照引起Ge_2Sb_2Te_5非晶态薄膜的电/光性质变化被引量：1: 2008年; 研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化,当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级（10^7～10^3Ω/□）的突变;对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试,结果表明,随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数,在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有：n（非晶态）〉n（中间态）〉n（晶态）,k（晶态）〉k（中间态）〉k（非晶态）,α（晶态）〉α（中间态）〉α（非晶态）,结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系.; 孙华军侯立松吴谊群魏劲松; 关键词：GE2SB2TE5薄膜激光辐照光学常数相转变

用于超分辨近场结构光盘存储的掩膜材料被引量：1: 2009年; 超分辨近场结构(Super-RENS)光盘存储技术是近年研究的热点,而用作超分辨近场结构的掩膜材料是决定其性能的关键。本文总结了用于近场超分辨结构光盘存储的掩膜材料的最新研究成果,阐述了材料的工作原理和性能特点,展望了其发展趋势。; 孙华军侯立松; 关键词：光存储 SUPER-RENS

AgInSbTe相变薄膜的热刻蚀腐蚀特性: 2012年; 研究了AgInSbTe相变薄膜作为一种新的热刻蚀材料的腐蚀特性。采用射频磁控溅射的方法在室温下制备了非晶态AgInSbTe薄膜,经真空加热退火晶化.以氢氧化钠溶液作为腐蚀剂,研究了退火温度、腐蚀剂浓度、腐蚀时间对晶态、非晶态AgInSbTe薄膜腐蚀特性的影响.结果表明:以非晶态形式存在的沉积态AgInSbTe薄膜在0.001 mol/L氢氧化钠溶液中腐蚀速度小于0.04 nm/min,退火晶化后,薄膜的腐蚀速度大幅度提高,晶态和非晶态薄膜的腐蚀选择比随退火温度的升高而增大.当腐蚀时间为20 min时,经300℃真空退火的晶态AgInSbTe薄膜比相应非晶态的腐蚀速度高45倍以上.腐蚀后薄膜表面质量良好(粗糙度<1 nm,10μm×10μm区域).并对AgInSbTe相变薄膜的腐蚀机理进行了讨论.; 李豪耿永友吴谊群

国家重点基础研究发展计划(2007CB935402)

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