国家自然科学基金(50275118)
- 作品数：20 被引量：59H指数：5
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- 相关领域：电子电信机械工程理学电气工程更多>>
- 多层冷压印光刻中超高精度对正的研究被引量：2
- 2004年
- 为满足多层冷压印光刻中套刻的超高精度要求,提出了基于斜纹结构光栅的对正技术.利用光电接收器件阵列组合接收光栅产生莫尔条纹的零级光,得到条纹平面内X、Y方向的对正误差信号.通过调整光栅副的间隙来提高误差信号的对比度.利用高对比度和灵敏度的误差信号作为控制系统的驱动信号,对承片台进行宏微两级驱动控制,并由激光干涉仪作为控制系统的反馈环节在驱动过程中进行全程监测,实现自动对正.最终使在X、Y方向上的重复对正精度达到了±20nm,满足了100nm特征尺寸压印光刻的对正精度要求.
- 王莉卢秉恒崔东印丁玉成刘红忠
- 关键词：压印光刻莫尔条纹
- 高精度压印机压印轴的热误差分析被引量：1
- 2004年
- 在压印光刻工艺中,针对压印机由于温度变化而引起的热误差,通过建立压印机压印轴有限元分析模型,对其温度分布进行了仿真计算.采用高斯求积法优化了温度传感器的位置和数量,选取了1个热源点和2个高斯点作为测温关键点,建立了压印轴测温点的温度变化与压印轴轴向热误差之间的线性计算模型,该方法可以预先确定测温点的数量和位置,避免了传统的从多个测温点中通过实验选择最优传感器数量和位置的方法.研究结果表明,有限元计算结果与实验中温度测量值之间的误差小于7 7%,仿真结果能准确反映压印轴温度场的分布情况,所建立的压印轴热误差模型的计算精度可以达到93%,因此获得了较高的计算精度.
- 严乐卢秉恒丁玉成刘红忠
- 关键词：压印光刻热误差温度场有限元
- 微压印光刻的模具制作工艺研究被引量：2
- 2003年
- 从模具材料研究模具制作工艺问题,通过实验研究,对比分析了有机玻璃模具和硅橡胶模具制作工艺。实验表明,可以复制出特征尺寸为0.35μm和0.1μm的有机玻璃模具和硅橡胶模具,均具有很高的复型精度。由于硅橡胶模具制作工艺在复型精度、复型精度稳定性和制作速度上均优于有机玻璃模具,且缺陷密度低于有机玻璃模具。因此,选用基于高复型精度软硅橡胶模具的软压印光刻工艺。
- 秦旭光李涤尘李寒松丁玉成卢秉恒
- 关键词：压印光刻硅橡胶有机玻璃
- 冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究被引量：5
- 2003年
- 在集成电路的冷压印光刻中,为了获得高分辨率抗蚀剂,着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料,从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分析和研究.经过对比,得出低粘度光固化树脂具有薄膜厚度容易控制且均匀(误差为0 3%)、固化速度快(小于0 2min)和固化收缩率小(3%)等特性,其对冷压印光刻工艺的匹配性明显优于溶剂挥发固化型和化学交联固化型材料.因此,最终决定采用低粘度光固化树脂作为冷压印光刻工艺中的抗蚀剂.
- 李寒松丁玉成王素琴卢秉恒刘红忠
- 关键词：集成电路抗蚀剂
- 压印工作台的纳米级自找准定位研究被引量：10
- 2003年
- 针对分步压印光刻工艺超高精度的对准要求,论述了一套由光栅、驱动器及激光干涉仪构成的闭环超高精度自对准定位系统.为了消除外界干扰引起的激光干涉仪误差对整个系统精度的影响,系统采用粗精两组光栅和相应两组光强传感器来实现工作台三维位置度的检测.驱动环节采用宏微两级,相对于粗精两组光栅检测进行驱动,实现了分步式压印光刻的多点定位找准和多层压印的对准要求.为了提高在驱动过程中的定位精度和抗干扰能力,系统采用了精确模型匹配(EMM)算法,最终实现了在压印光刻工艺中,步进精度小于10nm、多层压印重复对准精度小于20nm的超高定位精度要求,使系统的整体定位找准精度控制在8nm以内.
- 刘红忠丁玉成卢秉恒金涛
- 关键词：压印光刻光栅驱动器
- 等离子体浓度对离子撞击材料表面能量通量的影响被引量：2
- 2006年
- 研究了射频鞘层中离子轰击材料表面的能量通量与等离子体浓度之间的关系。在射频鞘层模型基础上,推出了离子轰击材料表面的速度、浓度及能量通量的表达式。分析了等离子体浓度对离子能量通量的影响。实验数据与理论分析有较好吻合,验证了理论分析的正确性。等离子体浓度对离子能量通量起双重作用:一方面,等离子体浓度的增加削弱离子能量;另一方面,等离子体浓度增大使轰击材料表面离子的数量增加。等离子体浓度较低时,前者的作用较大并且影响比较显著;随等离子体浓度升高,后者的作用增大,并且等离子体浓度对离子能量通量的影响趋于平缓。
- 李志刚丁玉成
- 关键词：等离子体离子能量通量
- 纳米压印光刻工艺的研究进展和技术挑战被引量：7
- 2010年
- 图形化技术是微纳制造过程的核心工艺之一.目前,作为微纳加工主流工艺的光学光刻技术由于受曝光波长衍射极限的物理限制,其技术复杂性和设备制造成本大幅增加.纳米压印将传统的模板复型原理应用到微观制造领域,以其高分辨率、高效率、低成本和工艺过程简单的特点,引起了各国研究人员的广泛关注.作为一种接触式几何约束流变成形方式,纳米压印必然衍生出许多新的挑战性问题.在阐述纳米压印工艺构成要素的基础上,对目前的若干主要压印技术工艺变种进行了简要综述,总结出了纳米压印所涉及的基本理论问题,并对纳米压印在集成电路制造中所面临的挑战进行了分析.
- 丁玉成
- 关键词：纳米压印光刻
- 冷压印光刻中斜纹光栅对准信号计算模型被引量：3
- 2005年
- 采用傅里叶光学的方法,分析了冷压印光刻中新型斜纹光栅对准标记的透光特性。分析表明,对准信号与光栅副相对位移之间是正弦变化关系,且对准位置附近是一个陡直的线性区。该区对准信号的灵敏度很高,适合于多层套刻对准,根据信号和位移的线性关系,给出初步的对准信号计算模型。由于抗蚀剂的存在,使晶片表面反射率随位移而变化,提出用反射率因子进行修正的方案。反射率因子中包含有位移信息,将其与初步对准信号模型相乘,得到修正的计算模型。由新模型,研究了抗蚀剂平均厚度不同对对准信号的影响,说明要获得高灵敏度的信号,抗蚀剂厚度应取满足压印条件的最小值。
- 成丹卢秉恒丁玉成王莉
- 关键词：压印光刻傅里叶光学莫尔条纹
- 驱动电流密度对低压容性射频鞘电势及离子动能的影响被引量：2
- 2005年
- 研究了离子轰击被加工材料表面的能量与射频驱动电流密度之间的关系.在Lieberman的低压容性射频等离子鞘模型基础上,考虑Bohm速度对应的鞘前电势差,将鞘前电势差与Lieberman的鞘内电势合并,发展了Lieberman的模型,并推出了总电势差与驱动电流密度的关系式.利用总鞘电势差计算了经时间平均的鞘电场加速后离子获得的动能,由于鞘电势差和平均离子动能及其增幅随电流密度的增加而增加,因此射频驱动电流密度对鞘电势差及平均离子动能起激励作用.通过实验,测量了时间平均鞘电势差及驱动电流密度值,实验结果与理论结果吻合较好,因此验证了理论分析的正确性.
- 李志刚丁玉成
- 关键词：射频电流密度电势
- 高保真度五步加载纳米压印光刻的研究被引量：2
- 2005年
- 从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据.基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系.在分析了现有压印工艺存在的问题后,提出了一个全新的压印工艺:高保真度固化压印,即包括特征转移-抗蚀剂减薄-脱模回弹力释放-保压光固化-脱模等压印过程.实验结果表明,高保真度固化压印过程与加载路线能实现复杂图形特征的复制,从而保证了压印图形的保真度,并可保证图形复制的一致性及适度留膜厚度,压印图形的分辨率可达100 nm.
- 严乐刘红忠丁玉成卢秉恒
- 关键词：压印光刻加载抗蚀剂高保真度
