广东省战略性新兴产业专项(2012A080304016)
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 相关作者：范广涵郑树文皮辉张涛何苗更多>>
- 相关机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：广东省战略性新兴产业专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究被引量：3
- 2014年
- 采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
- 郑树文范广涵皮辉
- 关键词：第一性原理AL掺杂电子结构
- 新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高(英文)被引量：2
- 2013年
- 分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。
- 丁彬彬赵芳宋晶晶熊建勇郑树文喻晓鹏许毅钦周德涛张涛范广涵
- 关键词：发光二极管(LED)
- Ga掺杂对纤锌矿TM0.125Zn0.875O(TM=Be,Mg)电子结构和光学能隙的影响被引量：1
- 2014年
- 利用密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对纤锌矿T M_(0.125)Zn_(0.875)O(TM=Be,Mg)合金和Ga掺杂T M_(0.125)Zn_(0.875)O的结构参数、能带、电子态密度和光学能隙进行计算和分析,结果表明:T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺入Ga容易实现并且结构更稳定,T M_(0.125)Zn_(0.875)O合金掺Ga能获得很好的n型材料改性,能隙由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态决定,由于Bllrstein-Moss移动和多体效应,Ga掺杂后的T M_(0.125)Zn_(0.875)O光学能隙变大,这与实验结果相一致,T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺Ga材料可作透明导电薄膜应用到紫外和深紫外光电子器件中。
- 郑树文范广涵张涛皮辉俆开放
- 关键词：密度泛函理论
- W掺杂对β-Ga_2O_3导电性能影响的理论研究被引量：8
- 2014年
- 采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2x O3材料的体积增大,总能量升高,稳定性降低.当W的掺杂量较小时,其电子迁移率较大,导电性能也很强.当增加W的掺杂量,Ga2(1-x)W2x O3材料的平均电子有效质量就略有增大,能隙变得越窄,这与实验的变化趋势相一致.
- 郑树文范广涵何苗赵灵智
- 关键词：电导率密度泛函理论
