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异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究被引量：1: 2005年; 利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉积的立方氮化硼薄膜是纯的立方相,而在多晶金刚石薄膜衬底上制备的立方氮化硼薄膜中还含少量的六角氮化硼。高分辨透射电镜的分析表明,在金刚石晶粒上异质外延的c BN直接成核于金刚石衬底,界面没有六角氮化硼过渡层;而在含有大量缺陷的晶粒边界,存在六角氮化硼的成核与生长。; 张兴旺陈诺夫OYEN H-GZIEMANN P; 关键词：立方氮化硼薄膜金刚石薄膜成核高分辨透射电镜微结构立方相

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2: 2004年; 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：硅低能离子束重掺杂

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究: 采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体。借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0...; 宋书林陈诺夫尹志岗柴春林杨少延刘志凯; 关键词：磁性半导体; 文献传递

室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究: 2004年; 采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.; 刘志凯宋书林陈诺夫尹志岗尹志岗柴春林; 关键词：氮化镓磁性半导体

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究被引量：2: 2004年; 采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.; 宋书林陈诺夫尹志岗柴春林杨少延刘志凯; 关键词：磁性半导体

低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究: 2004年; 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .; 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：X射线衍射 X光电子能谱

离子束外延制备GaAs:Gd薄膜被引量：1: 2004年; 　室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。; 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：GAAS衬底

室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究: 采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体。借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0...; 刘志凯宋书林陈诺夫尹志岗柴春林杨少延; 关键词：氮化镓磁性半导体; 文献传递

低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2: 2004年; 　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性。当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制。; 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束硅铁磁性磁性半导体

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国家重点基础研究发展计划(G2002CB311905)