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中央高校基本科研业务费专项资金(2013-01)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇静电放电
  • 1篇保护器件
  • 1篇ESD保护
  • 1篇ESD保护器...
  • 1篇GGNMOS

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇杨银堂
  • 1篇吴晓鹏
  • 1篇董刚

传媒

  • 1篇西北大学学报...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件
2014年
利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。
吴晓鹏杨银堂董刚
关键词：静电放电
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