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中央高校基本科研业务费专项资金(2013-01)
作品数:
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相关作者:
董刚
吴晓鹏
杨银堂
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基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件
2014年
利用版图设计方法对衬底触发多叉指GGNMOS器件进行了改进设计,优化了多叉指保护器件的触发均匀性。同时通过在保护器件源极扩散区周围增加N阱环来增大等效衬底电阻,以提高其触发性能。器件仿真结果表明,与传统GGNMOS器件和普通衬底触发GGNMOS器件相比,所提出的基于动态衬底电阻的自衬底触发GGNMOS结构的ESD鲁棒性达到了9.7 mA/μm,同时触发电压也降低了约32%,达到了提高保护器件ESD鲁棒性和降低触发电压的目的。
吴晓鹏
杨银堂
董刚
关键词:
静电放电
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