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高等学校科技创新工程重大项目(21010112)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:王胜利王文忠祁铮王志王学进更多>>
相关机构:中国农业大学中国科学院过程工程研究所北京交通大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家科技支撑计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇性能研究
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化镉
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇磁控

机构

  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中国农业大学
  • 1篇中国科学院过...

作者

  • 1篇梁春军
  • 1篇王学进
  • 1篇王志
  • 1篇祁铮
  • 1篇王文忠
  • 1篇王胜利

传媒

  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
化学水浴法和磁控溅射法制备硫化镉薄膜的性能研究被引量:2
2012年
以氯化铵、氯化镉、氢氧化钾和硫脲为反应物采用化学水浴法制备了硫化镉薄膜,为了作对比研究,采用射频磁控溅射以硫化镉为靶材,氩气为溅射气体,制备了硫化镉薄膜。采用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见光光谱仪分别表征了硫化镉薄膜的结构、形貌和光学吸收特性。结果表明,采用以上两种方法制备的硫化镉均具有(002)择优取向,溅射法制备的硫化镉薄膜较致密,薄膜表面较光滑,平均晶粒尺寸在20~30nm;水浴法制备的硫化镉薄膜颗粒尺寸较小,缺陷较多。除了在短波段溅射所得硫化镉薄膜的透过率略差于水浴法所得硫化镉薄膜之外,溅射法制备的硫化镉薄膜的性能整体上优于水浴法制备的薄膜。两种方法制备的硫化镉薄膜的能隙在2.3~2.5eV。
王胜利王学进王文忠梁春军王志祁铮
关键词:硫化镉溅射
共1页<1>
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