哈尔滨市科技攻关计划项目(2005AA5CG058)
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 相关作者：王锐杨春晖徐衍岭周楠徐玉恒更多>>
- 相关机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：哈尔滨市科技攻关计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- In∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体非挥发性全息存储被引量：2
- 2005年
- 在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰位置移到3 506 cm-1.用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In:Mn:Fe:LN晶体抗光致散射能力比Mn:Fe:LN晶体提高1～2个数量级.探讨了In:Mn:Fe:LN晶体OH吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理.以He-Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,In:Mn:Fe:LN晶体中一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以Mn:Fe:LN和1%In:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储.用双光子固定法测量了In:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率.研究了In:Mn:Fe:LN晶体的双光子全息存储机理.
- 王锐周楠杨春晖徐玉恒
- 关键词：红外光谱提拉法晶体生长
- [Li]/[Nb]比对Ce:LiNbO_3晶体结构及光折变性能的影响
- 2006年
- 在铌酸锂(L iNbO3,LN)中掺入摩尔分数为0.1%的CeO2,以提拉法从不同[L i]/[Nb]摩尔比([L i]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的熔体中生长出了Ce:LN晶体。测试了晶体的晶格常数、红外光谱和居里温度。结果表明:随着[L i]/[Nb]比的增加,晶体仍为三方的LN晶体,且晶格常数和晶胞体积没有发生大的变化,v(OH-)振动峰的位置依次向长波方向移动,居里温度依次增加,结构缺陷减少。由于Ce和[L i]/[Nb]比的协同作用,[L i]/[Nb]比为1.100的Ce:LN晶体已接近化学计量比,[L i]/[Nb]比为0.850的Ce:LN晶体的居里温度近似等于纯LN晶体。利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算了晶体的光折变灵敏度及动态范围。测试了晶体的抗光致散射能力,结果表明:[L i]/[Nb]比越高的Ce:LN晶体的光折变性能越好。并分析了不同[L i]/[Nb]比Ce:LN晶体光折变性能增强的机理。
- 王淼王锐杨春晖徐衍岭刘欣荣吕祖舜
- 关键词：晶体光折变性能
- 不同Li/Nb比Mg:In:Fe:LiNbO_3晶体的光折变性能研究被引量：1
- 2006年
- 采用提拉法生长了不同L i/Nb比(L i/Nb=0.85,0.94,1.05,1.20,1.38)的Mg:In:Fe:L iNbO3(LN)单晶。测试了Mg:In:Fe:LN晶体的红外透射光谱,紫外吸收光谱,抗光致散射能力,响应时间和指数增益系数。实验结果显示:L i/Nb=0.85晶体的OH-吸收峰在3481 cm-1附近,L i/Nb=0.94、1.05、1.20的晶体的OH-吸收峰在3505 cm-1附近,而L i/Nb=1.38晶体的OH-吸收峰有三个,分别在3466 cm-1、3481 cm-1和3518 cm-1附近。随着L i/Nb比的增大,晶体的紫外吸收边发生紫移,抗光致散射能力增强,响应速度加快,指数增益系数增大。结果表明:L i/Nb=1.38的晶体是性能最为优良的光折变晶体材料。
- 王佳王锐刘维海刘新荣
- 关键词：晶体
- 黄铜矿类半导体砷化锗镉晶体的研究进展被引量：5
- 2006年
- 砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的。本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收。
- 李春彦王锐杨春晖徐衍岭朱崇强
- 关键词：开裂受体缺陷
- In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究
- 2006年
- 在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3+的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.
- 王锐周楠杨春晖刘欣荣徐玉恒
- 关键词：动态范围
