上海市科委科研计划项目(09DZ1142102)
- 作品数：2 被引量：13H指数：2
- 相关作者：陈国荣莫晓亮李娟孙大林王震东更多>>
- 相关机构：复旦大学南昌大学更多>>
- 发文基金：上海市科委科研计划项目上海市教育委员会重点学科基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 单步电沉积法制备CuInS_2薄膜被引量：12
- 2009年
- 采用单步电沉积法在Mo基底上制备了高质量的CuInS2薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌,研究了沉积电位、退火温度、pH值、反应物浓度等工艺条件对制备的CuInS2薄膜形貌、组分及性能的影响.制备的CuInS2薄膜致密平整,呈黄铜矿结构,晶粒大小为1-2μm.用紫外-可见光分光光度计测试了其光学性能,计算得到常温下禁带宽度为1.41eV,非常适合用作薄膜太阳电池的吸收层材料.
- 李娟莫晓亮孙大林陈国荣
- 关键词：太阳电池退火温度
- CuInS_2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究被引量：3
- 2011年
- 本文以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。随着退火温度的升高,薄膜的结晶性能增强,表现出高度的(112)晶面择优取向,SEM观察显示:350℃退火后,薄膜致密,晶粒细小,大小为数十纳米。同时,热探针测试发现:薄膜的导电类型为弱N型。光学性能方面,当退火温度高于250℃时,CuInS2薄膜的禁带宽度为1.50 eV,接近吸收太阳光谱所需的理想禁带宽度值。
- 王震东莫晓亮陈国荣
- 关键词：真空烧结
