江苏省自然科学基金(BK2003203)
- 作品数：5 被引量：24H指数：3
- 相关作者：施毅郑有炓顾书林修向前韩平更多>>
- 相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN被引量：1
- 2005年
- 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。
- 谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓
- 关键词：INNMOCVD
- MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2
- 2005年
- 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：MOCVD缓冲层
- InN材料及其应用被引量：10
- 2004年
- 由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
- 谢自力张荣毕朝霞刘斌修向前顾书林江若琏韩平朱顺明沈波施毅郑有炓
- 关键词：INN带隙半导体材料晶格常数晶格匹配
- 退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量：6
- 2004年
- 利用溶胶鄄凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜。研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响。结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强。
- 陈晓清谢自力张荣修向前顾书林韩平施毅郑有炓
- 关键词：纳米ZNO薄膜发光特性退火温度C轴取向发光强度锌矿
- In_2O_3纳米线制备及其特性被引量：5
- 2006年
- 使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.
- 谢自力张荣高超刘斌李亮修向前朱顺明顾书林韩平江若琏施毅郑有炓
- 关键词：IN2O3纳米线X射线衍射扫描电子显微镜
