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KOH溶液处理对AlGaN紫外探测器暗电流的影响被引量：1: 2009年; 采用KOH溶液表面处理工艺制备得到了128×1线列日盲AlGaN紫外探测器,器件的反偏暗电流为6.88×10-9A(-8 V时),比未采用此项工艺制备得到的器件的暗电流减小近103倍。元素深度分布俄歇电子谱(AES)等测试结果分析表明,采用这种表面处理工艺可以有效地去除干法刻蚀后材料表面的N空位、刻蚀生成物及自然氧化物,减小了界面态密度,改善了电流-电压特性,减小了反偏暗电流。利用传输线模型TLM计算得到了Ti/Al/Ti/Au金属电极与高Al组分n-Al0.65Ga0.35N材料间的接触电阻率为8.35×10-3Ωcm2。; 王玲陈杰许金通张燕李向阳; 关键词：界面态接触电阻

GaN及AlGaN薄膜透射光谱的研究被引量：3: 2009年; 利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或AlGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实验曲线达到了准确的吻合.结果表明:外延薄膜透射光谱的拟合可以准确提取出材料的消光系数、表面状况、散射情况、折射率及厚度,从而对样品质量作出详细的分析.; 李超李雪许金通李向阳; 关键词：GAN 透射光谱光散射消光系数

Relaxor properties and tunability of electron-irradiated thin poly(vinlidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer film: The effect of high energy electron irradiation on poly(vinlidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer film wi...; Li Tian; 关键词：IRRADIATION TUNABILITY

GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件被引量：8: 2009年; 介绍了GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件的研制过程，并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长的多层A1GaN外延材料，通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极制备等工艺，制作了256×1的背照射AlGaN紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试，得到芯片的暗电流Id为4．22×10^-12A、零压电阻风为1．01×10^10Ω，响应波段为305～365nm，响应率约为0．12A／W。该AlGaN探测芯片与电容反馈互阻抗放大器（CTIA）结构的读出电路互连成为一个256模块，两个256模块经过拼接、封装后制备出512×1元紫外长线列焦平面探测器组件。测量室温（300K）时焦平面组件（实际524元）的响应，平均电压响应率为1．8×10^8V／w，其盲元率为9．0％，响应不均匀性为17．8％，359nm处的平均波段探测率为7×10^10cmHz^1/2W^-1。并对器件性能进行了分析。; 张燕储开慧邵秀梅袁永刚刘大福陈新禹李向阳; 关键词：紫外探测器

背景辐射对甚长波碲镉汞光导器件性能的影响被引量：2: 2008年; 通过对甚长波碲镉汞器件的信号、噪声、有效寿命等的测试分析,研究背景辐射对甚长波器件性能的影响。利用冷光阑和黑体照射改变器件接收的背景辐射,设计并搭建了变背景有效寿命测试装置。改变背景辐射,测试甚长波器件的电阻、信号、噪声、噪声频谱、有效寿命。测量结果表明,增加立体角为30°的冷光阑后,随着背景辐射的减小,器件的电阻、信号、噪声、探测率等都有不同程度的增加;噪声频谱测试证明,1kHz频率处的噪声主要是产生-复合噪声;改变黑体温度的变背景的有效寿命测试结果证明,背景辐射对寿命的影响很大,背景辐射减小,光生载流子的有效寿命增加。分析甚长波器件表面和体内的S-R复合、俄歇复合、辐射复合等复合机制,利用非平衡载流子和器件有效寿命理论对器件的寿命和产生复合噪声随背景辐射的变化进行理论计算,计算结果与实验结果存在一定的差异,但在随背景辐射变化的趋势上一致,并对两者的差别进行了分析。; 张燕方家熊; 关键词：碲镉汞

Fabrication and characterization of an AlGaN/PZT detector被引量：1: 2010年; Design, fabrication and characterization of a novel two-color detector for ultraviolet and infrared applications are reported. The detector has a simple multilayer structure composed of n-Al0.3Ga0.7N/i-GaN/p- GaN/SiO2/LaNiO3/PZT/Pt fabricated on a sapphire substrate. Ultraviolet and infrared properties are measured. For the ultraviolet region, a flat band spectral response is achieved in the 302-363 nm band. The detector displays an unbiased responsivity of 0.064 A/W at 355 nm. The current-voltage curve shows that current at zero bias is -1.57 × 10^-12 A. This led to a detectivity of 1.81 × 10^11 cm- Hzl/2/W. In the infrared region, the detectivity of the detector is 1.58 × 10^5 cm. Hz1/2/W at 4μm.; 张燕孙璟兰王妮丽韩莉刘向阳李向阳孟祥建; 关键词：RESPONSIVITY DETECTIVITY

新型的AlGaN/PZT材料紫外/红外双波段探测器被引量：6: 2009年; 提出了一种可以同时同位置探测紫外和红外信号的新型探测结构,分析了该结构的合理性,并对器件工艺进行了设计、分析和验证,制备出了AlGaN/PZT原型器件。该结构以AlGaN多层材料和PZT复合薄膜为基础,利用AlGaN宽禁带半导体的本征吸收和铁电薄膜的热电转化功能,实现对紫外和红外信号的电学响应。对该结构中各膜层的透射和吸收进行了测试和分析,在小于6μm的光谱测试范围内,宝石衬底的透过率约为80%,而AlGaN多层外延结构和多孔SiO2隔离层都对红外光吸收很少。结果证明:该结构可以实现不同吸收层对入射光束不同波段的吸收。以AlGaN器件工艺和溶胶-凝胶法制备PZT膜层为基础,研究了器件工艺,并最终研制出了首个AlGaN/PZT探测器件。; 张燕王妮丽孙璟兰韩莉刘向阳李向阳孟祥建; 关键词：探测器透射光谱

紫外DPS中DA控制器的NiosⅡ-IP核设计与实现: 2010年; 详细介绍了GaN基紫外数字像素探测器(DPS)多通道位串行(MCBS)实现方案中共用DAC设备控制器的自定义IP核的设计和功能实现。文中采用基于嵌入式软核NiosⅡ处理器可编程片上系统(SOPC)设计方法,通过对以12位数模转换芯片TLV5639为控制对象的IP核的仿真和测试,验证了设计的正确性。实验结果表明设计符合性能要求,基于SOPC的IP核设计方法具有较强实用性和通用性。; 张文静包西昌王玲袁永刚李向阳; 关键词：可编程片上系统 AVALON总线

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国家自然科学基金(60807037)