国家自然科学基金(11375129)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：同济大学中国工程物理研究院西北核技术研究所更多>>
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- γ-CuI超快闪烁转换屏的制备与性能表征
- 2015年
- 以石英基片为衬底,采用真空热蒸发法,通过调控衬底温度制备出了具有微柱结构、柱径在μm量级、厚度约17μm的γ-CuI超快闪烁转换屏。在X射线激发下,所制备的γ-CuI超快转换屏具有峰位在430nm的快成分发射峰和峰位在700nm的慢成分发射带,其中快成分发射峰占总发光的主要部分;随着衬底温度由170℃升高至210℃,转换屏430nm发射峰的强度会逐渐减弱,而700nm发射带的强度则逐渐增强,这可能是由于较高的衬底温度会造成碘流失从而引起转换屏中碘空位增加、铜空位减少所致(Cu/I增大),碘流失的假设得到了卢瑟福背散射实验的验证。γ-CuI超快转换屏的晶体结构呈(111)晶面择优取向,且不随衬底温度而变化,当衬底温度升高至210℃时,由于CuI分子获得的动能增加,转换屏还会出现微弱的(220)和(420)晶面的取向。当衬底温度由170℃增至190℃时,转换屏的微柱结构会随之优化,微柱结构明显,但当衬底温度进一步增至210℃时,由于表面扩散和体扩散效应加剧,微柱结构会随之退化。最后,采用刃边法测量了所制备γ-CuI转换屏的空间分辨率,结果显示170,190和210℃衬底温度条件下所制备的转换屏,其空间分辨率分别为:4.5,7.2和5.6lp·mm-1,微柱结构有助于提高转换屏的空间分辨率。
- 夏明顾牡刘小林刘波黄世明倪晨
- 关键词：空间分辨率
- Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究
- 2019年
- 采用溶剂蒸发技术,辅以氩保护气氛,成功获得厘米级氯掺杂γ-CuI透明单晶。研究了氯掺杂对晶体生长溶液的稳定性、晶体结构及发光性能的影响。通过引入氩气氛,掺氯生长液及晶体的氧化问题得到了极大改善。X射线激发发射光谱表明,γ-CuI:Cl晶体的超快近带边发射得到显著增强,光输出约为PbWO4晶体的89%,深能级发射强度也受到极大抑制。并且快成分的衰减时间达到亚纳秒量级。实验结果均表明γ-CuI:Cl单晶具有较好的结晶性和光学性能,有望应用于超高辐射检测和超快计数率成像领域。
- 张蕾刘小林郝书童顾牡李乾利黄世明张娟楠
- 关键词：溶剂蒸发法
- γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应被引量：2
- 2017年
- 采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 e V的γ-CuI晶体。在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带。经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰。使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级。X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当EX<49.1 ke V时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高。
- 李锋锐顾牡何徽畅里华温伟峰李泽仁陈亮刘金良欧阳晓平刘小林刘波黄世明倪晨
- CuBrxI1-x闪烁薄膜的制备和发光性能
- 2019年
- 为了系统地研究Br的引入对CuBrxI1-x薄膜发光强度和衰减时间的影响,通过气相沉积法在Si片上制备了CuBrxI1-x(0≤x≤1)闪烁薄膜,并测试了薄膜的发光性能和衰减曲线。结果表明,所制备的样品具有良好的CuBrxI1-x(0≤x≤1)固溶体结晶性;相对于长波段的深能级发射,CuBrxI1-x薄膜均表现出较强的光致和X射线激发近带边发射,且发射强度随Br含量的增加而大幅增加,有利于提高闪烁器件的探测效率;不过薄膜的发光衰减时间会随Br含量的增加而变慢(40~300 ps)。本研究工作对于通过选择合适组分的CuBrxI1-x闪烁材料以平衡探测效率和时间响应的测量需求具有重要意义。
- 李锋锐顾牡岳双强刘小林胡亚华李乾利张娟楠黄世明刘波倪晨
- 关键词：发光强度
- Lu2O3纳米线阵列的超声辅助溶胶–凝胶模板法制备与表征被引量：1
- 2016年
- 采用超声辅助的溶胶–凝胶阳极氧化铝(AAO)模板法制备Lu_2O_3纳米线阵列。通过X射线衍射谱(XRD)、能量色散X射线谱(EDX)、扫描以及透射电镜(SEM及TEM)对纳米线阵列的晶体结构和形貌进行表征。结果显示:Lu_2O_3纳米线阵列的晶相呈纯立方相Lu_2O_3多晶结构;纳米线形貌完整、取向一致、粗细均匀,直径约200 nm。与简单浸泡法相比,采用的超声辅助技术可有效提高Lu_2O_3在AAO孔道内的填充度,填充度接近100%。该方法具有工艺简单、成本低廉、填充度高、重复性好等特点,不仅可实现大面积Lu_2O_3纳米线阵列的制备,而且还可推广到其他材料的纳米线阵列制备。
- 胡亚华顾牡张致远刘小林黄世明刘波张娟楠
- 关键词：超声辅助AAO模板
