国家自然科学基金(61076120)
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系被引量：2
- 2011年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。
- 倪金玉李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海
- 关键词：金属有机物化学气相淀积
- GaN HFET的大信号射频工作模型(续)
- 2014年
- 3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内，形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛定谔方程时就必须求解二维泊松方程。
- 薛舫时
- 关键词：HFETGAN大信号异质结材料射频
- GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌(续)被引量：1
- 2013年
- 3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解释了实验中观察到的栅延迟、漏延迟等各类瞬态电流现象,但是在解释射频电流崩塌时,既然射频输出功率低于直流伏安特性算出的预期功率,就必须证明外沟道的射频电阻大于直流电阻，因为外沟道势垒表面没有电极，所以内沟道夹断时外沟道电子只能靠陷阱俘获电子来耗尽。沟道电子从强电场中获取能量成为高能热电子，再跃迁到表面陷阱，是一个很复杂的过程，实验测量表明需要秒量级的弛豫时间，跟不上射频周期变化，这样外沟道中的射频电阻就不可能低于直流电阻，也就不会产生很强的射频电流崩塌。
- 薛舫时
- 关键词：电流崩塌电子态射频HFETGAN直流电阻
- Si基GaN材料寄生导电层的研究被引量：1
- 2013年
- 通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。
- 倪金玉李忠辉孔岑周建军陈堂胜郁鑫鑫
- 用异质结构控制GaN阴极电子发射被引量：1
- 2012年
- 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电势剪裁成半导体阴极所需的陡直下降的电势结构,进一步深入研究了双势垒异质结的电场结构,发现外面的异质结能屏蔽里面异质结的势垒。利用这种双势垒异质结的屏蔽效应设计出可由偏压直接控制电子亲合势的异质结构,从而为半导体阴极开辟出一条新的研究途径。
- 薛舫时
- 关键词：铝镓氮
