山东省自然科学基金(Y2007F36)
- 作品数：8 被引量：16H指数：3
- 相关作者：范素华张丰庆于冉车全德马建平更多>>
- 相关机构：山东建筑大学济南大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程冶金工程化学工程更多>>
- Sm掺杂对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响
- 2009年
- 利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Ca0.4Sr0.6SmxBi4-xTi4O15铁电薄膜。研究了不同钐掺量对薄膜的显微结构、晶粒取向及铁电性能的影响。结果表明:钐掺杂对钙锶铋钛铁电薄膜既有抑制氧空位所导致的畴钉扎作用,也有抑制晶粒生长发育的作用。当钐掺量x=0.05时薄膜样品晶粒发育较良好,沿a轴择优取向,I(200)/I(119)=0.869;样品铁电性能优良,剩余极化强度Pr=10.2μC/cm2,矫顽场强度Ec=120kV/cm。
- 车全德范素华张丰庆马建平于冉田清波
- 关键词：铁电薄膜
- 退火温度和匀胶速率对SrBi_(3.88)Nd_(0.12)Ti_4O_(15)薄膜铁电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了SrBi3.88Nd0.12Ti4O15铁电薄膜材料,研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响。退火温度为750℃、匀胶速率为3000r/min薄膜样品为纯的铋层状钙钛矿结构且没有其它杂相出现,a轴取向的晶粒较多,铁电性能较好,剩余极化强度和矫顽场分别为2Pr=26.7μC/cm2、2Ec=80kV/cm。
- 张丰庆范素华马建平车全德于冉
- 关键词：退火温度铁电性能
- 铈掺杂对钙铋钛铁电陶瓷取向及性能的影响被引量：3
- 2009年
- 用固相烧结工艺,制备了不同Ce掺量CaBi4-xCexTi4O15的陶瓷样品。用X射线衍射对其显微结构进行了分析,并测试了样品的介电、铁电性能,研究了烧结温度对样品晶粒取向和铁电性能的影响。结果发现Ce掺杂未改变CaBi4-xCexTi4O15的晶体结构,1150℃烧结所得样品中a轴取向晶粒较多,有利于样品的铁电性能;x=0.2为最佳掺量,样品剩余极化强度最大,2Pr=18.4μC/cm2,对应的矫顽场强度2Ec=99kV/cm,相对介电常数εr=165,介电损耗tanδ=2×10-3。
- 范素华桂舟张丰庆田清波
- 关键词：铁电性能
- 烧结温度对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响被引量：4
- 2009年
- 用固相合成方法制备了Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷,研究了烧结温度对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷相结构、显微结构、铁电性能和介电性能的影响,分析了相关机理。结果表明,在1150℃进行烧结,样品晶粒发育完全,晶粒a轴择优取向,铁电性能优良,剩余极化强度2Pr达到15.3μC/cm2、矫顽场强2Ec为103kV/cm;在100kHz^1MHz频率范围内,介电常数为176~168,介电损耗为0.027~0.025,具有较好的频率稳定性。
- 范素华张丰庆车全德于冉田清波
- 关键词：铁电陶瓷烧结温度电学性能
- 匀胶速度对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构的影响被引量：1
- 2010年
- 用粉末—溶胶法和快速退火工艺在S i(100)基片上制备了Ca0.4Sr0.6B i4Ti4O15陶瓷厚膜。研究了匀胶速度及退火温度对厚膜结构的影响。用X射线衍射表征了厚膜的晶体结构,用扫描电镜观察了样品显微形貌。结果表明在750℃进行退火,匀胶速度为4500 r/m时样品晶粒发育良好,表面平整无裂纹,厚度约为1.5μm,且a轴取向较明显。
- 胡伟范素华张丰庆车全德于冉
- 关键词：厚膜
- 粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。
- 马建平范素华张丰庆车全德于冉
- 关键词：铁电性能粉末特性
- 膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响被引量：5
- 2008年
- 采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜。研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响。发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的I(200)/[I(119)+I(00l)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm。
- 范素华张伟王培吉张丰庆冯博楷马建平
- 关键词：ND掺杂SOL-GEL法膜厚
- 纳米晶粉体加入量对CSBT陶瓷厚膜结构及性能的影响
- 2010年
- 采用粉末溶胶法和快速层层退火工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了钙锶铋钛(CSBT)陶瓷厚膜。研究了纳米晶粉体加入量对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构及性能的影响。结果表明:纳米晶粉体加入量在较宽的范围内可以制备出高质量的钙锶铋钛厚膜,厚膜的显微结构及铁电性能对粉末的加入量比较敏感,适当的加入量有利于促使厚膜晶粒的a轴择优取向,从而有利于膜的铁电性能。当粉末加入量为7.5 g/100 mL时,钙锶铋钛陶瓷厚膜晶粒出现a轴择优取向,剩余极化和矫顽场强分别为6.3μC/cm2和57 kV/cm,具有较高的应用价值。
- 范素华马建平张丰庆车全德于冉
- 关键词：铁电性能
