中国科学院微电子研究所所长基金(07SF074002)
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
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- 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法被引量：7
- 2009年
- Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法,采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法,取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明,在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上,刻蚀深度为39.2μm,光刻胶剩余4.8μm,侧壁表面满足平滑陡直的要求。
- 张育胜
- 关键词：电感耦合等离子体化学平衡
- 太阳能电池刻蚀机的控制系统研究
- 2008年
- 太阳能电池刻蚀机的自动生产流程是逻辑控制系统,提出采用树形结构对逻辑控制系统进行分析,各子系统用树形结构进行设计,终端子系统采用时序图方法进行设计,综合了组合逻辑和时序逻辑控制。此方法应用于自动太阳能电池刻蚀机,提高了系统的处理速度和可靠性。
- 张育胜
- 关键词：树形结构逻辑控制组合逻辑时序逻辑时序图
