模拟集成电路国家重点实验室开放基金
- 作品数：127 被引量：332H指数：10
- 相关作者：张鹤鸣戴显英胡辉勇贾新章金冬月更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第二十四研究所西安电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家部委预研基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- SiGe HBT抗γ辐照机理研究
- ＜正＞由于异质结双极晶体管（HBT）和高电子迁移率晶体管（HEMT）比硅器件具有更优越的抗γ辐照特性,所以被广泛应用在卫星、空间站等辐照环境中。在 HBT 器件中,SiGe HBT 具有成本低、与硅工艺兼用等优点,所以备...
- 石瑞英蒲林程兴华谭开州杨晨刘轮才王健安龚敏
- 关键词：Γ辐照
- 文献传递
- 一种硅基选择性外延生长的锗波导光探测器
- 2020年
- 制作了一种硅接触侧向PIN型Ge波导光探测器,叙述了Si基选择性Ge外延层的制作流程,介绍了Ge波导光控测器的整体结构及制作流程。对该Ge波导光探测器的响应度、暗电流、带宽等参数进行了测试。结果表明,该Ge波导光探测器在-1 V偏压下的暗电流为8.3 nA,在1 550 nm处的响应度为0.85 A/W,3 dB带宽为29 GHz。
- 刘嵘侃张静陈仙徐炀
- 关键词：暗电流
- 一种单片集成高精度霍尔传感器的驱动电路被引量：1
- 2020年
- 基于0.18μm BCD工艺,设计并实现了一种片上集成高精度霍尔传感器的驱动电路。该驱动电路利用片上霍尔传感器将磁信号转换成电信号,采用内部放大、失调消除和逻辑控制等技术实现了100 kHz输出频率、83%占空比的PWM驱动信号。该驱动电路的抗干扰能力较强,检测精度高,最低的磁场检测强度达到3.5 mT。
- 冉建桥胥锐潘军
- 关键词：霍尔传感器PWM驱动
- 基于OrCAD的视频对数放大器优化设计被引量：1
- 2019年
- 利用OrCAD PSpice中的Optimizer优化模块,采用两种不同的输入信号激励方式,对大动态视频对数放大器进行了优化设计。优化结果表明,两种方式均能达到很好的优化效果,完全满足设计指标的要求,大幅节约设计开发时间。最后,在两种不同的输入激励信号下,介绍了视频对数放大器瞬态仿真优化的实现方法。
- 李骏庞佑兵杨帆刘登学杨超
- 关键词：优化设计瞬态仿真
- 基于试验设计技术的IC优化设计被引量：2
- 2005年
- 现代集成电路(IC)的优化设计主要依靠EDA工具完成。但是针对多指标、多参数的IC设计,单纯依靠EDA工具存在效率低以及指标和参数个数限制等问题。从试验设计技术出发,以EDA仿真作为实验,建立指标与参数的统计模型,进而优化设计电路,解决了上述问题。将该方法应用于4参数、3指标的低功耗集成运放的设计,仅通过16轮仿真试验,得到了电路指标最优情况下的参数设置。该方法对多指标、复杂参数的集成电路的优化设计更具优越性。
- 游海龙张小波贾新章
- 关键词：统计模型
- SiGe/Si HBT低频噪声特性研究被引量：2
- 2006年
- 对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。
- 张万荣高攀金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管低频噪声
- SiGe/Si HBT高频噪声特性研究被引量：4
- 2006年
- 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
- 张万荣邱建军金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE异质结晶体管
- 半导体质量控制中的非正态工序能力指数计算模型被引量：3
- 2007年
- 分析了目前几种主要的非正态工序能力指数计算模型,指出其适用范围和不足之处.根据数据的均值、标准偏差、偏度和峰度四个变量能够体现分布特性,结合切比雪夫-埃尔米特多项式,提出了新的非正态工序能力指数计算模型,该模型能克服数据偏差大时对计算结果的不良影响,并且其代数计算公式可以简化计算.实例分析结果准确有效.
- 王少熙贾新章
- 关键词：工序能力指数
- SiGe HBT大信号扩散电容模型研究
- 2006年
- 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT大信号发射结扩散电容模型和集电结扩散电容模型。该模型从SiGeHBT正反向传输电流出发,研究晶体管内可动载流子所引起的存储电荷(包括正向存储电荷和反向存储电荷)的基础上,同时考虑了厄利效应对载流子输运的影响,其物理意义清晰,拓扑结构简单。将基于大信号扩散电容模型的SiGeHBT模型嵌入PSPICE软件中,实现对SiGeHBT器件与电路的模拟分析。对该模型进行了直流特性模拟分析,直流模拟分析结果与文献报道的结果符合得较好,瞬态特性分析结果表明响应度好。
- 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜李立姜涛
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管存储电荷PSPICE
- 大尺寸PGA封装器件机械试验装夹方法研究
- 2020年
- 针对光电微系统等新型大尺寸PGA封装器件的多方向离心、振动、冲击等机械试验要求,导致现有装夹方法不再适用的问题,本文提出了以大小相等的力同时挤压这类器件四个侧面的装夹方式以完成固定,实现对这类器件在多方向离心、振动、冲击等机械试验中的装夹,且基于该方法设计的夹具,可实现对不同机械试验的通用。
- 朱朝轩陈亮但雅
- 关键词：装夹方法通用夹具
