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国家高技术研究发展计划(2002AA312010)

作品数:24 被引量:54H指数:5
相关作者:王启明成步文左玉华姚飞薛春来更多>>
相关机构:中国科学院北京化工厂更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 24篇中文期刊文章

领域

  • 22篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇调谐
  • 6篇可调
  • 6篇可调谐
  • 6篇高频
  • 6篇HBT
  • 6篇SIGE
  • 5篇英文
  • 4篇调谐滤波器
  • 4篇滤波器
  • 4篇螺旋电感
  • 4篇可调谐滤波器
  • 4篇硅基
  • 4篇高频大功率
  • 4篇SI基
  • 4篇大功率
  • 3篇探测器
  • 3篇品质因子
  • 3篇功率
  • 3篇放大器
  • 3篇SI

机构

  • 24篇中国科学院
  • 1篇北京化工厂

作者

  • 22篇王启明
  • 20篇成步文
  • 12篇左玉华
  • 12篇姚飞
  • 10篇薛春来
  • 9篇李传波
  • 9篇毛容伟
  • 7篇罗丽萍
  • 6篇余金中
  • 5篇蔡晓
  • 4篇黄昌俊
  • 3篇时文华
  • 2篇姜磊
  • 2篇滕学公
  • 2篇白云霞
  • 2篇马朝华
  • 2篇张建国
  • 2篇王良臣
  • 2篇高俊华
  • 2篇赵雷

传媒

  • 14篇Journa...
  • 2篇光电子.激光
  • 2篇半导体光电
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 6篇2005
  • 5篇2004
  • 5篇2003
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
1.55μmSi基光电探测器的研究进展被引量:6
2003年
 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
李传波黄昌俊成步文王启明
关键词:锗硅光电探测器量子点RCE
硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究被引量:3
2005年
制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
毛容伟成步文李传波左玉华滕学公罗丽萍余金中王启明
关键词:INGAAS可调谐高频响应
随机生长误差对双腔型平顶法布里珀罗滤波器的影响被引量:1
2006年
在光网络中平顶滤波器可以有效地提高信道光检测的快速性和准确性。利用两个法布里珀罗腔间的串联耦合,可以构建出具有平顶透射特性的双腔型法布里珀罗滤波器。采用传输矩阵的方法,研究了随机生长误差对双腔型平顶滤波器透射特性的影响。模拟分析表明,当两个法布里珀罗腔的物理厚度差超过一个纳米时,在透射谱中就会出现两个高度不同的透射峰;解释了实测器件的透射谱中的双峰不对称性;用界面起伏的概念解释了实测滤波器带宽大于理论值的原因。理论分析与实验结果取得了较好的一致。
蔡晓左玉华毛容伟王启明
关键词:光学器件法布里-珀罗腔传输矩阵
用于无线PA的高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT的设计和制作(英文)
2006年
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益β为144·25,BVCBO为9V.
薛春来成步文姚飞王启明
关键词:HBT高频大功率无线功率放大器
基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT(英文)
2007年
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.
薛春来时文华姚飞成步文王红杰余金中王启明
关键词:SIGEHBT高频
高频大功率SiGe/Si HBT的设计
2006年
详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。
薛春来成步文姚飞王启明
关键词:SIGEHBT高频大功率
衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响被引量:3
2006年
使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小,电感的性能会增强,但改善的幅度会逐渐减小.厚的SiO2隔离层有利于减小衬底损耗,但是会给工艺增加难度.采用低k材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法.
薛春来姚飞成步文王启明
关键词:硅基螺旋电感品质因子
影响集成电感性能的关键因素被引量:5
2006年
片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素。文中实例为证,在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下,得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发,得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验,对此论点进行了论证。
姚飞成步文王启明
关键词:螺旋电感品质因子磁通量
平顶响应的热光可调谐Fabry-Perot滤波器被引量:6
2004年
制作了一种平顶响应的热光可调谐滤波器,通过用湿法腐蚀方法将半波长的共振腔分成具有不同光学厚度的两部分,并且使入射光照射到两部分的面积基本上相等,实现平顶响应特性。对该滤波器的输出响应进行检测,实验结果与理论模拟符合,相对透射率的极大值与极小值间的起伏度小于0.01。与实现平顶响应的其他方法相比,本滤波器器件的制作工艺简单,平顶性能优越,容易与其他有源和无源光子器件集成。还给出了制作几十μm量级的共振腔实现平顶窄带响应的热光可调谐滤波器的机理,其输出响应的起伏度小于0.02,3dB带宽小于1nm。
蔡晓左玉华王启明
关键词:可调谐滤波器可调谐3DB带宽光子器件极小值
SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)被引量:2
2004年
利用 SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性 ,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型 Si Ge探测器 .底镜沉积于 EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内 ,在 1.2~ 1.5 μm范围内 ,反射率高达 99% .探测器的共振峰在 1.344 μm,光响应为 1.2 m A/ W.与普通结构的探测器相比 ,文中所报道的探测器光响应有 8倍的增强 .
李传波毛荣伟左玉华成步文时文华赵雷罗丽萍余金中王启明
关键词:RCE探测器SOISIGE
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