山东省高等学校科技计划项目(J11LG74)
- 作品数:10 被引量:36H指数:4
- 相关作者:闫昕薛冬田贵才梁兰菊姚建铨更多>>
- 相关机构:枣庄学院临沂大学天津大学更多>>
- 发文基金:山东省高等学校科技计划项目枣庄市科技发展计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 光子晶体波导的设计与特性被引量:1
- 2012年
- 设计了Y型和回型二维光子晶体波导,基于时域有限差分法模拟了传输特性,并得出Y型结构对应的TE模、TM模的带隙结构。为此可以根据具体情况设计满足不同要求的波导结构。
- 闫昕孙岩刘洁孙长文于丽娜许宗平田贵才薛冬
- 关键词:光子晶体波导时域有限差分法带隙特性
- 太赫兹波在谐振环多层超材料传输特性的研究被引量:4
- 2012年
- 利用时域有限积分法研究了太赫兹波在谐振环多层超材料的传输特性。结果表明,对于尺寸相同的谐振环构成多层超材料,超材料从1层变化到5层时,在共振频率0.80 THz处,谐振谷值从-17 dB~-44 dB,共振明显比单层强很多。对于不同尺寸谐振环构成多层超材料,共振频谱带宽明显增强,半高全宽从0.08 THz变化到0.26 THz。结果表明,多层超材料具有比单层更好的太赫兹波特性,这些传输特性为太赫兹波滤波器、吸收器及偏振器等器件设计具有重要价值。
- 梁兰菊姚建铨闫昕薛冬田贵才韦德泉
- 关键词:光电子学太赫兹波传输特性
- Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成光子晶体能态密度特性被引量:1
- 2013年
- 应用平面波展开法,取Ⅳ-Ⅵ族的PbS、PbSe和PbTe半导体材料构成二维三角晶格光子晶体。数值模拟其构成光子晶体能态密度特性。结果表明,随着介电常数的增大,形成的光子带隙宽度增加。结论为光子晶体器件的开发提供参考。
- 王发友
- 关键词:半导体材料光子晶体平面波展开法能态密度
- 不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性被引量:8
- 2012年
- 应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据。
- 李院平邴丕彬闫昕梁兰菊薛冬田贵才
- 关键词:三维光子晶体平面波展开法带隙特性
- 三维光子晶体完全带隙的数值计算被引量:3
- 2013年
- 基于时域有限差分法,用GaAs构成金刚石、木堆和面心立方三种典型结构三维光子晶体,数值计算得到三种结构中GaAs构成金刚石结构三维光子晶形成较宽完全带隙结构,最大完全带隙结构为0.1393Hz。改变金刚石结构三维光子晶体中小球介电常数,介电常数大的介质小球出现完全带隙结构的半径范围较大。结论为三维光子晶体的设计制备应用提供理论依据。
- 张裕仕高珊薛冬田贵才闫昕
- 关键词:光子晶体完全带隙介电常数时域有限差分法
- Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性被引量:4
- 2012年
- 应用平面波展开法研究Ⅲ-V族半导体材料组成光子晶体能态密度特性,得到填充率f随晶格半径a之间的变化对应的能态密度分布,当f=0.2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体得出GaP有较宽的光子禁带,随着填充率的增加光子晶体带隙增加。研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。
- 陈士芹
- 关键词:半导体材料光子晶体平面波展开法能态密度
- 不同半导体材料构成光子晶体在太赫兹波段能态密度特性被引量:4
- 2012年
- 基于平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料构成二维三角晶格光子晶体在太赫兹波段的能态密度特性,数值模拟得到Ⅳ族SiC在填充率f=0.8时形成0.037 THz带隙宽度,Ⅱ-Ⅵ族ZnO在填充率f=0.73时形成0.0417 THz带隙宽度,不同填充率情况下Ⅲ-Ⅴ族半导体材料形成0.027 THz带隙宽度,比较数据Ⅱ-Ⅵ族半导体材料形成较宽的带隙,研究结果为太赫兹光子晶体器件的开发提供了理论依据。
- 邴丕彬闫昕
- 关键词:光子晶体平面波展开法带隙特性
- 不同结构二维光子晶体的带隙特性被引量:2
- 2013年
- 应用平面波展开法数值模拟了不同结构二维光子晶体TE模带隙特性,数值模拟得到正方形、正三边形和正六边形圆柱光子晶体结构的TE模带隙特性,比较得到正三边形圆柱结构光子晶体能够形成较宽TE模带隙结构。改变正方形圆柱光子晶体结构形成正方形椭圆柱结构和长方形圆柱结构光子晶体,比较得到长方形圆柱结构光子晶体形成带隙宽度较宽。研究就论为制作TE模滤波器件提供理论参考。
- 江力森.吾拉汗宗明吉张裕仕闫昕
- 关键词:光子晶体带隙特性平面波展开法
- Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性被引量:1
- 2012年
- 基于平面波展开法,以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlP、AlAs、AlSb和GaP构成二维方形格子光子晶体,并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙,形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大,f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙,AlSb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供了理论依据。
- 陈士芹
- 关键词:光电子学平面波展开法半导体材料光子晶体
- 基于平行金属双柱的太赫兹波二维左手材料被引量:13
- 2012年
- 基于产生负介电常数的周期性金属线单元结构,利用平行金属双柱设计了具有双负通带的两种太赫兹波段二维左手材料。应用时域有限积分算法研究了二维左手材料的传输特性,仿真结果表明,在0.76THz附近,平行金属双柱的表面电荷振荡与反向平行电流引发了电磁谐振,出现良好的负折射效应。在0.75~0.78THz之间同时具有负等效磁导率和负等效介电常数,双负通带带宽约为0.03THz。进一步研究了金属双柱间距、长度及基板厚度等结构参数对双负通带带宽的影响。研究结果为太赫兹波段左手材料的设计和研制提供了参考。
- 梁兰菊闫昕姚建铨田贵才薛冬
- 关键词:光电子学太赫兹波左手材料传输特性