河北省自然科学基金(F2004000078)
- 作品数：6 被引量：11H指数：2
- 相关作者：杨瑞霞杨克武武一宾张书敬武继斌更多>>
- 相关机构：河北工业大学中国电子科技集团第十三研究所中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X波段PHEMT功率单片放大器被引量：6
- 2006年
- 报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
- 张书敬杨瑞霞武继斌杨克武
- 关键词：PHEMTX波段MMIC功率放大器
- MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料被引量：1
- 2005年
- 利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns的InP PHEMT外延材料。
- 徐静波杨瑞霞武一宾
- 关键词：MBE
- GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究被引量：1
- 2006年
- 研究了Ti/Al/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触,发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关.在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s,获得了为6.94×10-7·cm2的比接触电阻.光学显微镜观察表明,在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌.
- 刘岳巍杨瑞霞武一宾陈昊
- 关键词：GANHEMT欧姆接触比接触电阻光学显微镜
- GaAs MESFET/PHEMT大信号建模被引量：1
- 2007年
- 大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的ColdFET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.
- 张书敬杨瑞霞王生国杨克武
- 关键词：砷化镓场效应晶体管微波集成电路
- GaAs MISFET制备中柠檬酸/双氧水溶液对GaAs/Al_xGa_(1-x)As结构的选择湿法腐蚀被引量：2
- 2007年
- 用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5∶1到2∶1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5∶1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性.
- 杨瑞霞陈宏江武一宾杨克武杨帆
- 关键词：柠檬酸GAASMESFET
- 改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索
- 2005年
- 硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降。
- 李亚丽杨瑞霞杨克武
- 关键词：MESFETSSINX
