江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ110206)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：张磊沈鸿烈尤佳毅陈伟龙更多>>
- 相关机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 温度对快速热退火制备多晶硅薄膜结构与电学性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用快速热退火方法对热丝CVD沉积的非晶硅薄膜进行了晶化处理。利用傅里叶红外光谱研究了非晶硅薄膜脱氢处理前后Si-Hx含量的变化;用X射线衍射(XRD),拉曼(Raman)光谱和扫描电子显微镜研究了硅薄膜的结构性能与退火温度的关系;利用电导率测试研究了硅薄膜的电学性能对退火温度的依赖性。研究发现,脱氢处理可以有效的抑制快速热退火引起的硅薄膜中微裂纹的出现。随着退火温度由700℃升高至1100℃,硅薄膜的结晶性逐渐升高,在1100℃下快速热退火15 s制备的多晶硅薄膜的晶化率高达96.7%。同时,硼掺杂硅薄膜的电导率也由700℃退火的1.39×10-6S.cm-1提高至1100℃退火的16.41 S.cm-1,增大了7个数量级。
- 张磊沈鸿烈尤佳毅
- 关键词：快速热退火多晶硅薄膜电导率
- 快速热退火温度对纳米晶氢-硅薄膜及其p-n结性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用快速热退火(RTA)对热丝化学气相沉积HWCVD制备的非晶氢-硅(a-Si:H)薄膜进行晶化处理,并在此基础上制备了纳米晶氢-硅(nc-Si:H)薄膜p-n结。利用拉曼(Raman)光谱、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计研究了所制备(nc-Si:H)薄膜的结构、光学性能与退火温度的关系;同时,研究了不同RTA条件下制备p-n结的整流特性随温度变化的规律。研究发现,随RTA温度由700℃升高至1 100℃,薄膜的晶化率由46.3%提高到96%,拉曼峰半高宽(FWHM)由19.7cm-1降低至7.1cm-1。当退火温度为700℃时,薄膜的XRD谱中只有一个较弱的Si(111)峰;当退火温度高于900℃时,薄膜的XRD谱中除Si(111)峰外,还出现了Si(220)、Si(311)峰。同时,随退火温度的升高,薄膜的禁带宽度由1.68eV升高至2.05eV。由于禁带宽度的增加,相应的p-n结最高工作温度也由180℃升高至300℃。
- 张磊沈鸿烈陈伟龙尤佳毅
