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电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C03010408DZ15)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:侯通贤林晓玲姚若河更多>>
相关机构:华南理工大学工业和信息化部更多>>
发文基金:电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇铜互连
  • 3篇互连
  • 1篇应力
  • 1篇通孔
  • 1篇热应力
  • 1篇可靠性
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇CU互连

机构

  • 3篇华南理工大学
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 3篇姚若河
  • 3篇林晓玲
  • 3篇侯通贤

传媒

  • 3篇微电子学

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
互连宽度对铜互连应力可靠性的影响
2010年
基于Cu的随动强化模型,用二维有限元分析方法,模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现,当互连尺寸减小到一定宽度后,静水应力先减小,后略有增加;随线宽的减小,等效塑性应变的最大值逐渐减小,塑性应变最大值的位置由Cu互连上界面处转向Cu互连上界面边角处,而发生等效塑性应变的区域先减小后增加。讨论了在不同Cu互连结构条件下,应力状态和塑性应变对Cu互连可靠性的影响。
侯通贤林晓玲姚若河
关键词:铜互连热应力可靠性
伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响
2010年
基于铜的随动强化模型,使用三维有限元方法,分析在窄-宽线铜互连结构中添加伪通孔对互连应力诱生空洞的影响。对宽互连M1分别为无伪通孔、中间添加伪通孔、右侧边沿添加伪通孔和添加双伪通孔结构进行了研究。结果表明,添加伪通孔不但可以降低通孔底部互连M1区域的空洞生长速率,而且使伪通孔正下面的互连M1成为额外的空位收集器,从而有效地提高互连应力诱生空洞性能,双伪通孔可进一步增强应力诱生空洞性能。
侯通贤姚若河林晓玲
关键词:铜互连
化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析被引量:3
2011年
探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。
林晓玲刘建章晓文侯通贤姚若河
关键词:化学机械抛光CU互连
共1页<1>
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