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教育部科学技术研究重点项目(01011)

作品数:25 被引量:84H指数:6
相关作者:李晓苇杨少鹏傅广生韩理董国义更多>>
相关机构:河北大学北京师范大学嘉应学院更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学医药卫生机械工程更多>>

文献类型

  • 25篇中文期刊文章

领域

  • 11篇化学工程
  • 11篇理学
  • 4篇医药卫生
  • 3篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇光电
  • 9篇光电子
  • 8篇增感
  • 6篇电子陷阱
  • 6篇浅电子陷阱
  • 5篇硫增感
  • 5篇卤化银
  • 4篇微波吸收
  • 4篇立方体
  • 4篇卤化银微晶
  • 4篇掺杂
  • 3篇颗粒乳剂
  • 3篇光谱增感
  • 3篇感光
  • 3篇感光材料
  • 3篇T颗粒
  • 3篇AGBR
  • 3篇CN
  • 2篇动力学
  • 2篇载流子

机构

  • 22篇河北大学
  • 3篇北京师范大学
  • 3篇嘉应学院
  • 2篇首都医科大学...
  • 1篇首都医科大学...
  • 1篇河北科技大学

作者

  • 21篇李晓苇
  • 16篇杨少鹏
  • 13篇傅广生
  • 11篇韩理
  • 10篇董国义
  • 7篇代秀红
  • 7篇陆晓东
  • 4篇江晓利
  • 3篇张荣香
  • 3篇耿爱丛
  • 3篇韩在柱
  • 3篇刘荣鹃
  • 3篇舒华
  • 2篇李新政
  • 2篇周筠
  • 2篇孟涛
  • 2篇张玉梅
  • 2篇曹宁
  • 2篇张继县
  • 2篇熊汉忠

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 4篇感光科学与光...
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 3篇中国临床康复
  • 2篇河北大学学报...
  • 2篇信息记录材料
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国激光
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 8篇2004
  • 8篇2003
  • 2篇2002
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
失语症患者图形命名中语音错误的产生机制被引量:25
2004年
目的:探讨失语症患者图形命名中语音错误的产生机制。方法:利用图形命名、复述以及同音判断任务,分析患者在不同任务中的错误模式。结果:该患者在图形命名中犯大量的语音错误,这些语音错误几乎全部为非词反应,且主要为语音高相似错误81%(92/113)。显著影响其命名成绩的是图形所对应的目标词长,而目标词的频率不影响命名。同音判断正常,而非词复述严重受损27%(45/165)。结论:SJ在图形命名中的语音错误不是源于语音输出词典受损,而是因为词典后加工环节损伤所导致。
熊汉忠柏晓利韩在柱舒华
关键词:失语症语音错误语音障碍
动词特异性损伤的原发性进行性失语个案被引量:10
2005年
目的:探讨1例汉语原发性进行性失语个案,及其表现出的动词特异性损伤现象,揭示该病与动-名词分离间的可能关系,从而为临床诊断和康复治疗提供一定的理论依据。方法:2004-03对北京天坛医院神经内科1例就诊患者采用两组神经心理学测验,从多任务、多角度考察患者是否存在动-名词的认知分离。结果:患者在阅读和图/词匹配任务中动、名词的作业成绩无明显差异,而图形写名时对名词的书写正确率(53%)显著高于动词(18%)(χ2=9.273,P<0.001),即使依次控制了一些影响因素后,对名词的正确率(32%~43%)仍然高于动词(14%)(P均<0.001)。结论:该病例为动词特异性损伤原发性进行性失语。
韩在柱舒华张玉梅周筠
关键词:神经心理学测验
复述障碍的起因初探被引量:5
2004年
目的:通过探讨两例汉语传导性复述障碍者的病因,来进一步揭示复述障碍的特点及其理论,从而为其临床诊断和康复治疗提供更丰富的客观依据。方法:以两例复述障碍个案为研究对象,采用了3组典型的认知测验:语音理解和再认测验、口语输出测验和短时记忆测验,分别考察患者的语音内部加工、语音产生和短时记忆能力。结果:两例患者在语音理解和再认测验中的成绩均达到正常水平,其中1例在所有口语输出任务中都存在认知缺陷(正确率为54%~75%),但短时记忆正常(记忆广度值为3~8)。而另外一例的非词复述(正确率为62%)和短时记忆能力(记忆广度值为1或2)都严重受损,但在其他口语输出任务中缺陷不明显(正确率为92%~100%)。结论:复述障碍存在不同类型的起因;本文报道的两例个案的发病原因分别为语音输出后期的加工缺陷和短时记忆缺陷。
韩在柱舒华熊汉忠李雪松张玉梅周筠
关键词:复述短时记忆正确率口语测验
染料吸附对氯化银微晶表面结构的影响被引量:3
2006年
利用微波吸收相敏检测技术测量了纯氯化银微晶的光电子衰减曲线,再结合光电子衰减动力学方程,确定了微晶表面和内部的电子陷阱参数,并以此为基础分析了染料的吸附对微晶表面结构的影响。发现吸附不仅会在微晶表面产生填隙银离子同时会对表面陷阱产生修饰作用,且随着染料吸附量的减少,产生银离子的作用退化并最终消失,而修饰作用凸现并逐渐增强,直至填隙银离子不再产生,修饰作用也达到了最大,随后修饰作用将随染料吸附量的继续减少而变弱。
李晓苇李莉张荣香张继县江晓利杨少鹏
关键词:电子陷阱染料吸附卤化银微晶表面修饰
掺杂AgCl中光电子衰减特性研究
2009年
利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。
代秀红张荣香李晓苇董国义杨少鹏韩理
关键词:浅电子陷阱
曝光强度对卤化银微晶中载流子行为及其陷阱效应的影响被引量:4
2005年
针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用.
傅广生刘荣鹃杨少鹏江晓利代秀红李晓苇
关键词:电子陷阱光电子卤化银
掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性被引量:1
2005年
利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。
杨少鹏傅广生董国义代秀红韩理
关键词:自由电子微波吸收立方体CN
AgX:I微晶的光电子衰减时间分辨谱测量被引量:1
2003年
利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,采用自行设计的光电子时间分辨谱测量装置(时间分辨率达到1 ns),精确地测量了不同Agx:I材料在35 ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的[I-]掺杂条件对材料光电子时间特性的影响关系,得到了影响Agx:I微晶光电子时间特性的最佳[I-]掺杂条件。对立方体AgCl乳剂来说,[I-]含量0.5%,掺杂位置80%Ag处时,乳剂的光电子寿命最长。而对T-颗粒AgBr乳剂而言,[I-]含量3%时,乳剂的光电子寿命最长。碘化物对光电子寿命增大的影响是由于碘化物离子可以作为缺陷电子陷阱,这就使得银簇上的反应减小,当碘化物大于3%时,这一效应由于碘化物团簇的形成而消失。
杨少鹏傅广生李晓苇董国义韩理耿爱丛
含氟碳菁染料聚集行为的研究被引量:8
2003年
本文对五种不同结构的含氟碳菁染料的甲醇溶液及吸附在碘溴化银T 颗粒表面的聚集行为进行了研究 ,测定了照相性能 ,计算了增感倍率。Dye1 ,Dye2 ,Dye3在甲醇溶液中测得的单分子态吸收曲线 ,当取代基从C2 H5→CH3→无取代基时 ,最大吸收峰对应的波长向短波方向移动 ;乙基取代基的增感染料 (Dye1 )吸附在碘溴化银表面形成的J 聚集态峰值较高 ,对应的增感倍率也高。没有取代基的增感染料 (Dye3)不形成J 聚集 ,增感倍率低 ,有减感作用。Dye4与Dye5相比 ,Dye4具有尖而窄的J 聚集反射光谱 ,增感倍率高。结果表明 :不同结构的增感染料吸附在卤化银颗粒上形成的J 聚集态不同 ,吸收谱带窄的J 聚集态增感染料具有较高的增感倍率。
孟涛李晓苇邹竞范金龙
关键词:紫外-可见光谱照相乳剂光谱增感染料
硫增感AgBrI T颗粒乳剂光电子行为研究被引量:3
2004年
利用微波相敏技术,获得了硫增感AgBrIT颗粒乳剂中自由光电子和束缚光电子时间衰减信号,分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与增感时间的关系,获得了最佳的增感时间、衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度和转移时间数值.
陆晓东李晓苇
关键词:自由载流子
共3页<123>
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