国家重点基础研究发展计划(2006CB2026022006CB202603)
- 作品数：5 被引量：24H指数：3
- 相关作者：赵颖薛俊明孙建刘丽杰蔡宁更多>>
- 相关机构：南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信更多>>
- 衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响被引量：5
- 2009年
- 采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。
- 张丽平张建军张鑫孙建赵颖
- 关键词：衬底温度
- 电阻蒸发铝薄膜结构及其对非晶硅太阳电池性能的影响被引量：2
- 2007年
- 本文首先采用电阻蒸发法制备了不同厚度的Al薄膜,并选择了两个典型厚度的Al薄膜制备工艺来制备非晶硅太阳电池的Al背电极,研究了Al背电极厚度对电池性能的影响。结果表明,Al背电极的厚度由800nm减薄到70nm时,电池的Voc平均值由0.826V增加到0.829V,电池的Jsc平均值由11.747mA/cm2减小到11.318 mA/cm2,电池的FF平均值由0.701增加到0.728,而电池效率的平均值略有增加,由6.803%增加到6.833%。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了玻璃衬底上蒸发的Al薄膜和非晶硅电池Al背电极表面形貌和微观结构的变化,分析了电池性能随Al背电极厚度变化的原因。
- 孙建薛俊明侯国付王锐张德坤赵颖耿新华
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 新一代太阳电池概述被引量：3
- 2010年
- 文章对新一代太阳电池的基本概念、研究现状和研究目标进行了详细的介绍.从"充分吸收光能,减少能量转换损失"的角度,分析了新一代太阳电池的结构设计特征.以纳米技术与叠层电池结构为基础,就高能光子的利用,介绍了宽带隙吸收层窗口电池、量子点热载流子电池和多重激子激发(MEG)的量子点电池;为解决低能光子损失,介绍了窄带隙光伏材料和中间带光伏器件包括量子点中间带和高失配构建的中间带电池;探讨了利用光-光转换的模式,对上转换和下转换的电池体系以及可能的极限效率进行了阐述.
- 赵颖熊绍珍张晓丹
- 关键词：叠层太阳电池
- 厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响被引量：2
- 2010年
- 通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度=150 nm时获得最小电阻率～2.1×10-4 cm,而光学特性有所恶化.通过性能指数比较,d=110 nm厚度的IMO薄膜光电性能较好.
- 韩东港陈新亮杨瑞霞赵颖
- 关键词：薄膜厚度晶体结构
- 掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究被引量：12
- 2009年
- 以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO∶Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响。结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一。随Al∶Zn原子比从0∶100变化至8.0∶100,电阻率呈现先递减后递增的规律。当Al∶Zn原子比为4.0∶100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3Ω.cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高。为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成。
- 赵静刘丽杰蔡宁薛俊明赵颖
- 关键词：ZNO掺杂电学特性
