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低压台区地理图到电气接线图的自动转换被引量：4: 2011年; 对台区电气接线图的绘制需求进行了分析,提出了将台区地理图自动转换成电气接线图的技术思路,并重点对图标的分层绘制、水平居中对齐的调整、增量绘制等关键问题进行了阐述。所提出的算法在一种基于GDI+技术的绘图工具中得到了实现。利用该算法,目前已经完成了江西九江城区600余台区低压电气接线图的自动绘制工作。应用表明,所提出的方案与算法切实可行,所得到的电气接线图布局均匀、美观、实用。; 邓其军刘姜涛周洪陈勇; 关键词：低压台区电气接线图拓扑 GDI+

武汉大学离子辐照装置和辐照损伤研究: 介绍了武汉大学的离子辐照装置,包括2×1.7MV串列加速器、200kV离子注入机、50kV离子注入机、20kV在线离子源和离子辐照-透射电镜一体化装置,以及各装置上适合开展的研究工作。利用现有装置和实验条件,我们对多种材...; 郭立平靳硕学杨铮黎明刘传胜付德君叶明生彭友贵范湘军; 关键词：辐照损伤透射电镜加速器

离子注入制备Si基稀磁半导体研究: 用200Kv Mn离子注入p型Si（001）单晶,在1×1015～5×1016Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线,表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加,饱和磁化强度有增强的趋势,退火后磁化强度较退火前有较大...; 欧阳中亮郭立平黎明叶舟施训艾志伟彭挺付德君杜红林陈海英C.X.Liu; 关键词：稀磁半导体离子注入退火; 文献传递

微晶玻璃的中子衍射研究被引量：1: 2009年; 应用中子衍射方法和Rietveld法全谱图拟合,研究了微晶玻璃在缓冷和急冷两种热处理条件下微结构和内应力的变化。与缓冷处理相比,急冷处理使析出的β硅灰石晶体的晶胞沿着3个晶轴方向进一步拉伸,晶体受到残余非晶相的拉应力作用更大,但原子位置无序相对要小,过高的局部应力导致了应力集中区内微裂纹的出现。急冷处理样品在高角度处的非晶峰强度远高于缓冷处理样品,表明急冷处理样品中残余玻璃相的比例更高。中子衍射获得的应变值与X射线衍射结果有显著差别,显示材料体内应力和表面应力有很大不同。中子衍射是测定大块微晶玻璃试样的平均残余应变和研究其复杂的两相共存结构的一种可行方法。; 杨铮谢俊孙凯周霖杨种田程金树郭立平; 关键词：中子衍射微晶玻璃应力

电子束蒸发制备Si0.95Co0.05稀磁半导体薄膜: 用放电等离子体烧结技术(SPS)制备Si:Co靶,并用电子束蒸发技术制备了Si:Co稀磁半导体薄膜。薄膜分别在200oC、300oC、400oC下退火10分钟,利用交变梯度磁强计分别测量退火前后各组样品的磁性,结果显示,...; 赵庆旺程亮叶舟马亚军艾志伟阮学锋周忠坡吴昊郭立平; 关键词：电子束蒸发退火; 文献传递

在线低能气体离子源: 核材料中氦和氢的积累可引起材料性能的恶化甚至失效。为研究这些材料内氦和氢的存在形式、氦与氢及缺陷的相互作用、气泡的形成和演变过程以及各种因素的影响,我们研制了一台离子束能量最高为20 keV的冷阴极潘宁型气体离子源,用于...; 郭立平杨铮周霖靳硕学李俊徐水钢彭国良孟峻峰刘传胜巨新刘实; 关键词：离子源辐照损伤原位透射电镜氦; 文献传递

在线低能气体离子源被引量：1: 2010年; 材料中氦和氢积累可引起材料性能的恶化甚至失效。为研究材料内氦和氢的存在形式、氦与氢及缺陷的相互作用、气泡的形成和演变过程以及各种因素的影响,建立一套离子束能量最高20keV的潘宁型气体离子源引出和聚焦系统,与200kV透射电镜联机,在离子注入现场原位观察氦和氢不同注入浓度下材料内部的微观结构及变化过程。对离子源进行氦离子的起弧、引出和聚焦测试。离子源在15–60mA放电电流范围内稳定地工作。在5×10–3Pa和1.5×10–2Pa工作气压下,放电电压约380V和320V。低气压下引出离子束流比高气压下大,且引出束流随放电电流和吸极电压的增加而增加。等径三圆筒透镜有显著聚焦作用,在距透镜出口150cm处,离子束流密度提高一个量级以上。能量10keV左右的氦离子获得束流密度约200nA·cm–2的离子束,可满足多种材料进行在线离子注入和原位电镜观测的需要。; 靳硕学郭立平彭国良张蛟龙杨铮黎明刘传胜巨新刘实; 关键词：离子源辐照损伤原位透射电镜氦

三能级混合态的量子几何相位被引量：1: 2012年; 把三能级开放系统的密度矩阵按照Gellmann矩阵展开,然后将展开系数和Bloch球中的方位角对应,从而获得了Poincaré球内部点和复三维Hilbert空间的非单位矢量即波函数的映射.进一步建议用该非单位矢量来定义混合态的量子几何相位.结果显示该几何相位仅仅与复Hilbert投影空间的几何结构有关,与开放系统具体的演化路径无关;并目.该混合态的几何相位依赖于开放系统的反转粒子数,也是描述开放系统混合度的单值光滑曲线,这个结果意味着混合态的演化的确按照几何相位保持其运动记忆.此外,在纯态的限制下,Berry相位是本文定义的几何相位极限情况.; 饶黄云刘义保江燕燕郭立平王资生; 关键词：纯态混合态几何相位

在线低能气体离子源: 材料中氦和氢的积累可引起材料性能的恶化甚至失效。为研究材料内氦和氢的存在形式、氦与氢及缺陷的相互作用、气泡的形成和演变过程以及各种因素的影响,我们建立了一套离子束能量最高为20keV的潘宁型气体离子源和引出聚焦系统,用于...; 靳硕学郭立平杨铮黎明周霖彭国良刘传胜巨新刘实; 关键词：离子源辐照损伤原位透射电镜氦; 文献传递

离子注入制备Si_xMn_(1-x)稀磁半导体的X射线衍射: 2010年; 把1×1016/cm2的200keVMn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体。用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀。间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强。; 彭国良李铁成张文勇彭挺艾志伟郭立平何庆文闻; 关键词：稀磁半导体离子注入 X射线衍射

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