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霍英东基金(NRC0708EG01)

作品数:2 被引量:18H指数:1
相关作者:陈国华施志聪邓胜男刘贵昌张颂更多>>
相关机构:香港科技大学大连理工大学广州市香港科大霍英东研究院更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金霍英东基金更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇正极
  • 2篇电池
  • 2篇正极材料
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇改性
  • 2篇长寿命
  • 1篇电解液
  • 1篇电容
  • 1篇循环伏安
  • 1篇氧化石墨
  • 1篇氧化石墨烯
  • 1篇中试
  • 1篇中性电解液
  • 1篇锂离子
  • 1篇锂离子电池
  • 1篇锂硫电池
  • 1篇微粒
  • 1篇离子
  • 1篇离子电池

机构

  • 5篇香港科技大学
  • 5篇广州市香港科...
  • 3篇华南理工大学
  • 2篇大连理工大学

作者

  • 3篇邓远富
  • 2篇施志聪
  • 2篇陈国华
  • 1篇刘学武
  • 1篇姜宏
  • 1篇刘贵昌
  • 1篇覃旭松
  • 1篇邓胜男
  • 1篇张颂

传媒

  • 2篇电源技术
  • 2篇第30届全国...
  • 1篇第一届全国储...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
长寿命、功率型锰酸锂基正极材料的制备及中试工艺开发
本论文利用改进的高温固相合成路线制备多孔微球状的锰酸锂基正极材料。该材料具有比容量高、倍率性能优良和(高温)循环性能优异的特点。其工艺路线主要是利用球形MnO_x前驱体与低共熔锂盐体系经过球磨混料、中温煅烧和中低温保温等...
邓远富覃旭松陈申赖炯平陈国华
文献传递
基于弱化学键构筑的长寿命、高比能硅/氧化石墨烯复合材料
3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对纳米硅粉进行表面改性,构筑APTES分子修饰的纳米硅粉,使纳米硅表面均匀分布APTES分子上的氨基.然后,将改性后的纳米硅粉和氧化石墨烯(GO)水溶液混合,利用氧化石墨烯表面的羧基和...
孙诚邓远富万丽娜徐辉施志聪陈国华
关键词:负极材料氧化石墨烯表面改性
长寿命锂硫电池核壳结构的石墨烯/硫正极材料
采用基于液相还原沉积的一步法合成石墨烯包覆硫微粒复合材料。该材料粒径分布均匀,硫微粒和石墨烯之间形成稳固的核壳结构。利用XRD,Raman spectrum,SEM,TGA,EDS等多种物测试法对合成的材料进行了详细表征...
徐辉施志聪邓远富陈国华
关键词:锂硫电池正极材料石墨烯核壳结构
正极材料Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2的表面包覆改性研究被引量:17
2012年
采用共沉淀结合固相反应方法合成了富锂的Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2正极材料,并分别以CeO2和AlF3对这种材料进行了表面包覆改性。采用X射线衍射光谱法(XRD)、扫描电子显微镜法(SEM)、透射电子显微镜法(TEM)等方法表征材料的结构和形貌。所合成的球形Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2材料为层状晶体结构。AlF3可以均匀包覆在Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2材料表面,包覆层厚度约为2 nm。AlF3包覆后富锂材料的电化学性能提升效果优于CeO2。AlF3包覆量为1%时,该富锂三元氧化物正极材料的首次充放电效率、容量保持率及倍率性能得到了显著的提高。EIS分析表明,AlF3包覆可避免富锂三元氧化物正极材料与电解液的直接接触,降低了传荷阻抗,从而有效提高了材料的电化学性能。
邓胜男施志聪郑隽刘贵昌陈国华
关键词:锂离子电池正极材料ALF3包覆
微纳米MnO_2中性电解液中电容性能研究被引量:1
2012年
通过液相共沉淀、低温水热法等方法制备了核壳、海胆、纳米片团聚微球、纳米棒团聚微球不同形貌的微纳米二氧化锰材料,采用X射线衍射、扫描电子显微镜、比表面积测试、循环伏安法对其晶体结构、表面形貌及电化学性能进行研究。结果表明:结晶度、比表面积对所合成的二氧化锰材料电容性能有一定影响,但并不是造成比电容差异最主要原因,而材料的形貌微结构对电容性能有着更重要的影响。纳米棒团聚微球在~8 nm处具有集中的孔径分布,比表面积达102.3 m2/g,高载量厚电极(10 mg/cm2,100μm)条件下,1 mol/L Na2SO4溶液中纳米棒团聚微球2 mV/s扫速时的放电比电容为143 F/g;200 mV/s时,放电比电容为52 F/g,表现了很好的电容特性,这种微纳米介孔材料是一种极具潜力的电化学电容器电极活性材料。
姜宏施志聪刘学武张颂陈国华
关键词:二氧化锰中性电解液循环伏安比电容
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