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国家自然科学基金(50975273)

作品数:6 被引量:10H指数:2
相关作者:张俊彦张斌郑愉左国防刘艳芝更多>>
相关机构:中国科学院兰州理工大学天水师范学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程机械工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇碳膜
  • 2篇摩擦学
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石碳膜
  • 2篇SIH
  • 1篇电子供体
  • 1篇电子体系
  • 1篇英文
  • 1篇原子
  • 1篇润滑
  • 1篇偏压
  • 1篇气相沉积
  • 1篇氢化
  • 1篇氢化钠
  • 1篇氢化物
  • 1篇磨损
  • 1篇摩擦学性能
  • 1篇金属
  • 1篇金属氢化物
  • 1篇化物

机构

  • 4篇中国科学院
  • 2篇兰州理工大学
  • 2篇天水师范学院

作者

  • 4篇张俊彦
  • 2篇朱元成
  • 2篇刘艳芝
  • 2篇郑愉
  • 2篇左国防
  • 2篇张斌
  • 1篇袁煜
  • 1篇刘新文
  • 1篇吕玲玲
  • 1篇崔锦峰
  • 1篇杨保平
  • 1篇强力
  • 1篇李志锋
  • 1篇袁焜
  • 1篇唐慧安
  • 1篇薛群基
  • 1篇杨涛

传媒

  • 1篇Chines...
  • 1篇摩擦学学报(...
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇Scienc...
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇中国科学:化...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
CH3Br—Y(Y=H,CCH,CN,NC)缺电子体系中Br原子参与的反向卤键相互作用
2011年
采用B3LYP/6—311++G(d,p)和MP2/6—311++G(d,p)理论方法研究了CH3+Br—YfY=H,CcH,CN,NC)缺电子体系中Br参与的反向卤键(IXB)结构.四个IXB复合物中,MP2/6—311++G(d,p)水平上考虑了基组叠加误差的分子间相互作用能分别为218.87,219.48,159.18和143.05kJ/mol,相对稳定性的递增顺序CH3+..BrCN〈CH3+..BrNC〈CH3+..BrH≈CH3+..BrCCH.自然键轨道分析和相关原子化学位移计算表明形成IXB结构时,电子的流向是从Br—Y到CH3+,采用分了中原予理论方法计算九xBs键鞍点处的电了密度拓扑性质,结果表明CH3+…Br—Y(Y=H,CCH,CN,NC)缺电子体系中的IxBs结构具有较多的供价成分.
刘艳芝袁煜吕玲玲朱元成唐慧安左国防李志锋
Inverse hydrogen bonds between SiH_4 and hydrides of Na,Mg and Be被引量:1
2011年
The optimized geometries of the three complexes between MeHn (Me=Na,Mg,Be;n=1 or 2) and SiH4 have been calculated at the B3LYP/6-311++g**,MP2/6-311++g(3df,3pd) and MP2/aug-cc-pvtz levels,respectively.The red-shift inverse hydrogen bonds (IHBs) based on Si-H,an electron donor,were reported.The calculated binding energies with basis set super-position error (BSSE) correction of the three complexes are-5.98,-8.65 and-3.96 kJ mol-1 (MP2/6-311++g(3df,3pd)),respectively,which agree with the results obtained via MP2/aug-cc-pvtz (-6.18,-9.12 and-4.28 kJ mol-1,respectively).The relative stabilities of the three complexes are in the order of SiH4···MgH2 > SiH4···NaH > SiH4···BeH2.Natural bond orbital theory (NBO) analysis and the chemical shift calculation of the related atoms revealed that the charges flow from SiH4 to MeHn and the chemical shifts of the interacting H shift to downfield.Here,the Si1-H3 of SiH4 acts as both a bond hydrogen donor and an electron donor.Therefore,compared with conventional hydrogen bonds,they formed IHB complexes.Atoms in molecules (AIM) theory have been used to investigate the topological properties of the critical points in the three IHB structures.
YUAN KunZUO GuoFangLIU YanZhiZHU YuanChengLIU XinWenZHANG JunYan
关键词:SIH4氢化钠电子供体
特种润滑材料研究进展简述(英文)被引量:5
2010年
虽然有些情况下使用气体润滑,但一般认为润滑材料主要包括液体和固体润滑材料。根据使用环境和润滑材料特性,润滑材料可以划分为许多类。特种润滑材料顾名思义是指具有比常规润滑材料更为优异特性的润滑材料。通过分子结构、体相结构设计和复合提升润滑特性一直是制备新型润滑材料的主要途径。对于液体润滑剂和有机分子薄膜,常常将新型分子结构设计和摩擦化学机理探讨结合在一起以发展润滑材料。比如,作为可能的新型润滑剂,离子液体的评价主要通过考察不同官能团和摩擦过程中发生的摩擦化学机制,以指导合成新型离子液体。有机薄膜的摩擦学特性强烈依赖于薄膜分子结构和构造结构。对于经典固体润滑材料,常考虑体相结构设计和复合方法提高或调整摩擦磨损特性。类富勒烯结构的出现赋予类金刚石薄膜更高的弹性和更低的摩擦系数,而金属掺杂能够降低内应力并在有些情况下改善薄膜环境敏感度。由于合成新型聚合物润滑材料比较困难,因此,共混和无机纳米颗粒的添加成为制备良好力学性能和耐磨损特性聚合物润滑材料所采取的方法。高温润滑材料,特别是从室温到高温(1000℃及以上)均具有良好润滑特性的润滑材料的发展依然是一个大的挑战。具有高温稳定性的稀土和陶瓷填充金属是目前设计制备高温润滑材料的主流方法。通过摩擦磨损特性的考察可以获得对润滑材料的表观判断,而基于磨损表面反应物质的分析对摩擦过程中发生在表面的摩擦物理化学机制的探究则是了解润滑材料服役特性和机制的主要手段,也是设计制备新型润滑材料依赖的主要思想来源。
薛群基张俊彦
关键词:磨损润滑
SiH_4与Na、Mg和Be等金属氢化物分子间反向氢键相互作用
2010年
在B3LYP/6-311++g**、MP2/6-311++g(3df,3pd)及MP2/aug-cc-pvtz水平上分别求得H3SiH…MeHn(Me=Na,Mg,Be;n=1或2)复合物势能面上的3个稳定构型,探讨了以Si-H为电子供体的红移反向氢键相互作用(IHB).经MP2/6-311++g(3df,3pd)水平的计算,在3个复合物中,含基组重叠误差(BSSE)校正的单体间相互作用能分别为-5.98、-8.65和-3.96kJ.mol-1,与MP2/aug-cc-pvtz水平下计算得到的-6.18、-9.12和-4.28kJ·mol-1接近,可见3个反向氢键复合物的相对稳定性顺序为:SiH4...MgH2>SiH4...NaH>SiH4...BeH2.NBO分析及对相关原子化学位移的计算表明,在复合物中,电子流向总体表现为SiH4→MeHn(n=1或2),且直接参与反向氢键形成的H3的化学位移向低场移动.与传统氢键相比,这里Si1-H3既是氢键供体,又是电子供体,从而形成反向氢键相互作用.另外,采用分子中原子理论(AIM)分别对各复合物中相关键鞍点处的电子密度拓扑性质进行了分析,结果表明3个复合物中均存在以静电性质为主的分子间反向氢键弱相互作用.
袁焜左国防刘艳芝朱元成刘新文张俊彦
关键词:甲硅烷金属氢化物
基底温度对掺氟类金刚石碳膜摩擦学性能的影响被引量:2
2012年
以CF4,CH4和H2作为前驱气体,改变基底温度,通过直流脉冲等离子气相沉积法(PECVD)制备掺氟类金刚石碳膜,用傅里叶红外光谱仪分析薄膜的键合结构,用拉曼光谱仪分析薄膜中杂化碳的sp2和sp3的存在状态,用纳米压痕仪和UMT-2MT摩擦磨损实验机分别测量了薄膜的硬度、摩擦因数等机械性能。结果表明,F主要以C-F3,C-Fx(x=1,2,3)基团的形式存在于薄膜中;基底温度从不加热到500℃的范围,薄膜能够保持较低于0.020的摩擦因数;且基底温度为400℃时薄膜具有0.016的最低摩擦因数,但当基底温度超过600℃时,会破坏薄膜的内部结构而使机械性能下降。
崔锦峰杨涛张斌强力郑愉张俊彦
关键词:氟掺杂
偏压对硅掺杂类金刚石碳膜力学及摩擦学性能的影响被引量:2
2012年
通过磁控溅射沉积过程中,硅靶表面中毒制备表面微量硅掺杂类金刚石薄膜,并改变沉积偏压制备出不同结构及性能的含硅类金刚石薄膜.利用XPS、拉曼光谱仪、SEM、纳米压痕仪和摩擦磨损试验机等手段表征含硅类金刚石薄膜的结构、横截面形貌、力学性能及摩擦学性能.结果表明:偏压为-600 V下沉积Si-DLC薄膜具有致密结构,高结合力,高硬度的特性,在大气环境下,薄膜与Al2O3陶瓷球对摩表现出优良的摩擦学性能,摩擦系数与磨损率分别为0.018和1.60×10-16 m3/(N.m).
杨保平郑愉张斌张俊彦
关键词:偏压磁控溅射摩擦学性能
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