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国家自然科学基金(60444010)
作品数:
1
被引量:1
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许京军
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2005
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亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱
被引量:1
2005年
测定了亚单层InGaAs/GaAs量子点-量子阱异质结构在5K下的时间分辨光致发光谱.亚单层量子点的辐射寿命在500ps至800ps之间,随量子点尺寸的增大而增大,与量子点中激子的较小的横向限制能以及激子从小量子点向大量子点的隧穿转移有关.光致发光上升时间强烈依赖于激发强度密度.在弱激发强度密度下,上升时间为35ps,纵光学声子发射为主要的载流子俘获机理.在强激发强度密度下,上升时间随激发强度密度的增加而减小,俄歇过程为主要的载流子俘获机理.该结果对理解亚单层量子点器件的工作特性非常有用.
徐章程
贾国治
孙亮
姚江宏
许京军
J.M.Hvam
王占国
关键词:
INGAAS/GAAS
光致发光谱
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