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天津市自然科学基金(07JCZDJC06100)

作品数:14 被引量:32H指数:4
相关作者:杨瑞霞杨帆张志国杨克武骆新江更多>>
相关机构:河北工业大学中国电子科技集团第十三研究所天津开发区职业技术学院更多>>
发文基金:天津市自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 6篇放大器
  • 5篇电路
  • 5篇晶体管
  • 5篇功率放大
  • 5篇功率放大器
  • 4篇单片
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇宽带
  • 4篇集成电路
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 3篇单片集成
  • 3篇单片集成电路
  • 3篇赝配高电子迁...
  • 3篇微波单片
  • 3篇微波单片集成
  • 3篇微波单片集成...
  • 2篇单片功率放大...
  • 2篇优化设计

机构

  • 15篇河北工业大学
  • 10篇中国电子科技...
  • 2篇石家庄铁道学...
  • 2篇天津开发区职...
  • 1篇北华大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国海洋石油...

作者

  • 11篇杨瑞霞
  • 4篇张志国
  • 4篇杨克武
  • 4篇杨帆
  • 2篇姜霞
  • 2篇冯震
  • 2篇冯志宏
  • 2篇吴景峰
  • 2篇王勇
  • 2篇骆新江
  • 1篇兰立广
  • 1篇李靖
  • 1篇张书敬
  • 1篇马永强
  • 1篇夏克文
  • 1篇宋建博
  • 1篇许娜颖
  • 1篇高金雍
  • 1篇王建超
  • 1篇赵玉刚

传媒

  • 2篇科技通报
  • 2篇半导体技术
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇自动化与仪表
  • 1篇光电工程
  • 1篇河北工业大学...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇2007北京...

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2007
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于PSO算法的CMOS运算放大器优化设计
2008年
针对CMOS运算放大器设计中缺乏自动设计工具,采用手工设计很难提高电路性能的问题,基于群智能技术提出了一种改进的粒子群优化算法(PSO)来进行全局优化求解.主要将CMOS运算放大器的电路性能解析方程转化成粒子位置的求解,先初始化粒子的速度和位置,然后不断迭代更新,直到搜索出全局最优值.仿真结果表明,该方法可以提高CMOS运算放大器的性能,在精度和速度上优于遗传算法和基本PSO算法的设计效果.
高金雍王建超夏克文杨瑞霞
关键词:CMOS运算放大器PSO算法优化设计
基于云计算的海量人脸特征图像大规模对比技术被引量:1
2013年
生物特征识别过程中的人脸识别,人脸数量的巨大,限制了这项技术的应用性。本文提出了一种基于云计算的大规模人脸特征图像匹配技术,运用广域云计算网络模型,对图像中存在的人脸特征信息进行有效地提取。在云计算的相关对比算法中,运用改进的ASM匹配模型进行人脸特征的提取与匹配。保证特征的进度,运用云计算强大的运算能力,完成海量图像的人脸图像匹配,克服了传统算法的弊端。实验证明,这种算法能够避免由于人脸的图像数量过大,造成的图像匹配耗时的缺陷,大幅提高了相关算法的应用性。
胡香娟
关键词:云计算图像匹配
2瓦5-19GHz宽带微波单片功率放大器(英文)
采用0.25μm PHEMT 工艺技术,研制出了一款5~19GHz 三级宽带微波单片(MMIC)功率放大器。从5~19GHz 整个频段范围内,这款功放具有24dB 的小信号增益,平均输出功率约为33dBm,功率附加效率在...
骆新江杨瑞霞吴景峰姜霞周晓龙
关键词:砷化镓单片微波集成电路放大器宽带
文献传递
用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究被引量:5
2008年
通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因,并讨论了抑制电流崩塌的办法.
李若凡杨瑞霞武一宾张志国许娜颖马永强
关键词:ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌
基于比色测温的温度场测量技术研究被引量:5
2008年
为了解决热电偶、热电阻、红外热辐射等测温方法存在的只能逐点测量,响应时间长,无法得到整个温度场的温度信息等问题。提出利用彩色CCD摄象器件,按比色测温原理建立一套不需参考点的非接触高温物体表面温度场测量方法,并对比色测温算法进行了改进。试验结果表明,改进后的比色算法使Trg的最大绝对误差由58K减少到24K,最大相对误差由3.631%减少到1.534%,能够满足一般工业生产标准,具有对环境适应性强、测量范围宽和非接触测量等一系列特点,有着较强的研究价值和广泛的应用前景。
赵玉刚杨帆周维芳
关键词:视觉信息比色测温非接触测量
AlGaN/GaN HEMT 2DEG电致耦合模型的研究
2009年
传统计算AlGaN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的方法是根据Hooke定律计算c轴方向压应变与拉应变,然后利用压电模量计算出不依赖于栅压的2DEG,称为非耦合模型计算。提出了一种电致耦合模型来计算2DEG,在计算过程中考虑到弛豫度与附加电场对材料压电效应的影响,结果发现,当Al组分x=0.30时,压电极化电荷密度低于传统方法的计算值,两种模型的计算值相差7.17%,由此可见,当电场作用于材料时,材料产生逆压电效应,最终导致压电极化电荷密度降低。
兰立广张志国杨瑞霞冯志宏蔡树军杨克武
关键词:氮化镓弛豫逆压电效应二维电子气
X波段30W内匹配GaNHEMT功率器件被引量:3
2008年
采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2mmGaN HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络,在频率为8GHz下测试,饱和输出功率为30W,功率增益在6dB以上,功率附加效率为38%,该结果目前在国内为首次报道。
李静强杨瑞霞冯震邱旭王勇冯志红默江辉杨克武张志国
关键词:阻抗内匹配
2W6~18GHz宽带MMIC功率放大器
2008年
运用微波在片测试技术和IC-CAP模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT器件进行了大信号建模,并利用此模型,采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法,制备了一款三级宽带功率放大器。实验测试结果和ADS仿真结果相吻合。其测试结果为:在6~18GHz频段内,平均输出功率Po为33dBm,功率增益Gp在22~24dB之间,功率附加效率PAE在23%~28%之间,输入输出端口电压驻波比VSWR<1.8,稳定性判断因子K>1(在5~19GHz内)。
骆新江杨瑞霞吴景峰周晓龙姜霞
关键词:功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
一种新型宽带微波单片功率放大器
运用微波在片测试技术和 IC-CAP 模型提取软件对总栅宽为850μm PHEMT 器件进行了大信号建模;随后在 ADS 环境下,利用此模型,并采用分布式放大器与电抗匹配相结合的方法设计了一款三级宽带功率放大器。其仿真结...
骆新江杨瑞霞吴敬峰周晓龙姜霞刘岳巍
关键词:功率放大器宽带微波单片集成电路赝配高电子迁移率晶体管
文献传递
基于W77E58无线语音智能门铃系统被引量:5
2010年
针对目前家用门铃只能局限于本地交流的问题,提出了一种具有语音合成功能的智能门铃系统,利用覆盖范围广、技术成熟的GSM网络进行信息的传输,使用具有双串口的W77E58单片机控制XF-S3011语音合成芯片进行语音合成并进行朗读,并利用TC35i芯片将语音数据无线传输,通过超级终端对系统进行测试,解决了房主外出时有客人造访而无法及时告知的问题,实现了远程控制门铃传达消息的功能。实验表明该系统可靠,方便了房主与来访者第一时间的交流,满意率达95%,应用前景广阔。
刘明辉杨帆崔胜
关键词:GSM网络远程控制
共2页<12>
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