博士科研启动基金(002030204)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 相关作者：颜丽娜宋航蒋红张铁民傅军更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所海南师范大学更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 缓冲层生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜结构及电学性能的影响(英文)被引量：3
- 2009年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450℃。
- 张铁民缪国庆宋航蒋红李志明傅军颜丽娜
- 关键词：铟镓砷金属有机化学气相沉积缓冲层生长温度
