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中国博士后科学基金(20100471380)

作品数:5 被引量:13H指数:2
相关作者:徐东程晓农施利毅赵国平樊曰娥更多>>
相关机构:上海大学江苏大学吉林大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金上海市教育委员会重点学科基金江苏省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程

主题

  • 5篇压敏
  • 2篇电性能
  • 2篇电阻
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇压敏陶瓷
  • 2篇氧化锌
  • 2篇陶瓷
  • 2篇稀土
  • 2篇显微组织
  • 2篇O3
  • 2篇ZNO
  • 2篇I2
  • 2篇-B
  • 1篇氧化物
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇挥发
  • 1篇混合氧化物
  • 1篇保温时间
  • 1篇X射线衍射分...
  • 1篇LU

机构

  • 4篇江苏大学
  • 4篇上海大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 4篇施利毅
  • 4篇程晓农
  • 4篇徐东
  • 3篇赵国平
  • 2篇樊曰娥
  • 1篇袁宏明
  • 1篇严学华
  • 1篇徐红星
  • 1篇史小锋

传媒

  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇河南科技大学...
  • 1篇中南大学学报...
  • 1篇Transa...

年份

  • 5篇2010
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
烧结方式对ZnO-Bi_2O_3压敏瓷Bi_2O_3挥发的影响被引量:1
2010年
采用裸烧、盖烧和埋烧等不同的烧结方式制备ZnO-Bi2O3压敏瓷,通过XRD和SEM等方法对压敏瓷的物相和显微组织进行研究,探讨烧结方式对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响。结果表明:烧结方式和烧结温度对压敏瓷的显微组织和电性能产生明显的影响。对于裸烧、盖烧和埋烧来说,1100℃均为最佳的烧结温度;1000℃时埋烧得到的压敏瓷的电性能较好,1100℃和1200℃时裸烧得到的压敏瓷的电性能较好;烧结方式对于Bi2O3挥发控制的强弱顺序为埋烧、盖烧、裸烧。
徐东程晓农赵国平严学华施利毅
关键词:挥发
保温时间对氧化锌压敏瓷组织和电性能的影响
2010年
采用不同的保温时间制备ZnO压敏电阻,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了保温时间对氧化锌压敏电阻电性能和显微组织影响机理。保温时间的变化对压敏瓷的相成分基本没有影响。适当的延长保温时间,压敏瓷的晶粒发育越好,晶粒尺寸越大越均匀;过长的保温时间会导致压敏瓷的晶粒粗大。保温时间的延长,压敏瓷的漏电流变化不大,致密度和电位梯度逐渐减小。研究结果表明:当保温时间为2 h时,压敏瓷具有较为理想的综合电性能,其电位梯度为332V/mm,非线性系数为30,漏电流为0.1μA。
史小锋樊曰娥徐东程晓农施利毅
关键词:压敏电阻氧化锌保温时间电性能显微组织
Microstructure and electrical properties of Lu_2O_3-doped ZnO-Bi_2O_3-based varistor ceramics被引量:8
2010年
Lu2O3-doped ZnO-Bi2O3-based varistor ceramics samples were prepared by a conventional mixed oxide route and sintered at temperatures in the range of 900-1 000°C,and the microstructures of the varistor ceramics samples were characterized by X-ray diffractometry(XRD)and scanning electron microscopy(SEM);at the same time,the electrical properties and V-I characteristics of the varistor ceramics samples were investigated by a DC parameter instrument for varistors.The results show that the ZnO-Bi2O3-based varistor ceramics with 0.3%Lu2O3(molar fraction)sintered at 950°C exhibit comparatively ideal comprehensive electrical properties.The XRD analysis of the samples shows the presence of ZnO,Bi-rich,spinel Zn7Sb2O12 and Lu2O3-based phases.
徐东史小锋程晓农杨娟樊曰娥袁宏明施利毅
关键词:压敏陶瓷X射线衍射分析混合氧化物LU2O3
新型复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷被引量:3
2010年
采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410V.mm-1,非线性系数为38.0,漏电流为0.58μA.
徐东程晓农赵国平徐红星范曰娥施利毅
关键词:压敏电阻稀土
复合稀土La和Sc掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能被引量:2
2010年
采用复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂制备氧化锌压敏瓷,通过扫描电镜和X线衍射对其显微组织和相成分进行分析,探讨复合稀土Sc2O3和La2O3掺杂对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织的影响机理。研究结果表明:复合稀土掺杂可提高压敏瓷的综合性能,复合稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏瓷电性能的影响规律;Sc2O3和La2O3复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随La2O3掺杂量的增加,电位梯度增加;在相同的La2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数增加;当掺杂0.12%(摩尔分数)Sc2O3,0.12%La2O3时,复合稀土掺杂氧化锌压敏瓷的电性能达到最优,电位梯度为325 V/mm,非线性系数为34.8,漏电流为0.19μA。
徐东程晓农赵国平袁宏明樊曰娥施利毅
关键词:氧化锌稀土电性能显微组织
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