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国家自然科学基金(11134008)

作品数:7 被引量:17H指数:2
相关作者:薛其坤何珂钱冬管丹丹刘灿华更多>>
相关机构:清华大学上海交通大学北京邮电大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇拓扑绝缘体
  • 2篇绝缘体
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇FESE
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇扫描隧道显微...
  • 1篇铜箔
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇微器件
  • 1篇量子
  • 1篇量子霍尔效应
  • 1篇刻蚀
  • 1篇光刻
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇QUANTU...
  • 1篇SRTIO3

机构

  • 2篇清华大学
  • 2篇上海交通大学
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇何珂
  • 2篇贾金锋
  • 2篇薛其坤
  • 2篇李耀义
  • 2篇刘灿华
  • 2篇管丹丹
  • 2篇钱冬
  • 1篇殷俊
  • 1篇王立莉
  • 1篇李康
  • 1篇王观勇
  • 1篇郭万林
  • 1篇马旭村
  • 1篇葛剑峰
  • 1篇刘志龙
  • 1篇姚钢
  • 1篇徐丹
  • 1篇张立果

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇Chines...
  • 1篇科学通报

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Topological edge states and electronic structures of a 2D topological insulator: Single-bilayer Bi (111)被引量:1
2013年
Providing the strong spin-orbital interaction, Bismuth is the key element in the family of three-dimensional topological insulators. At the same time, Bismuth itself also has very unusual behavior, existing from the thinnest unit to bulk crystals. Ultrathin Bi (111) bilayers have been theoretically proposed as a two-dimensional topological insulator. The related experimental realization achieved only recently, by growing Bi (111) ultrathin bilayers on topological insulator Bi2Te3 or Bi2Se3 substrates. In this review, we started from the growth mode of Bi (111) bilayers and reviewed our recent progress in the studies of the electronic structures and the one-dimensional topological edge states using scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS), angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES), and first principles calculations.
高春雷钱冬刘灿华贾金锋刘锋
From magnetically doped topological insulator to the quantum anomalous Hall effect
2013年
Quantum Hall effect (QHE), as a class of quantum phenomena that occur in macroscopic scale, is one of the most important topics in condensed matter physics. It has long been expected that QHE may occur without Landau levels so that neither external magnetic field nor high sample mobility is required for its study and application, Such a QHE free of Landau levels, can appear in topological insulators (TIs) with ferromagnetism as the quantized version of the anomalous Hall effect, i.e., quantum anomalous Hall (QAH) effect. Here we review our recent work on experimental realization of the QAH effect in magnetically doped TIs. With molecular beam epitaxy, we prepare thin films of Cr-doped (Bi,Sb)2Te3 TIs with well- controlled chemical potential and long-range ferromagnetic order that can survive the insulating phase. In such thin films, we eventually observed the quantization of the Hall resistance at h/e2 at zero field, accompanied by a considerable drop in the longitudinal resistance. Under a strong magnetic field, the longitudinal resistance vanishes, whereas the Hall resistance remains at the quantized value. The realization of the QAH effect provides a foundation for many other novel quantum phenomena predicted in TIs, and opens a route to practical applications of quantum Hall physics in low-power-consumption electronics.
何珂马旭村陈曦吕力王亚愚薛其坤
在预刻蚀的衬底上通过分子束外延直接生长出拓扑绝缘体薄膜的微器件被引量:2
2014年
在利用光刻将拓扑绝缘体外延薄膜加工成微米尺寸结构的过程中,所用的各种化学物质会导致薄膜质量的下降.在实验中,通过在钛酸锶衬底上预先光刻出Hall bar形状的凸平台并以此为模板进行拓扑绝缘体(Bi x Sb1-x)2Te3薄膜的分子束外延生长,直接获得了薄膜的Hall bar微器件,从而避免了光刻过程对材料质量的影响.原子力显微镜和输运测量结果均显示该微器件保持了(Bi x Sb1-x)2Te3外延薄膜原有的性质.这种新的微器件制备方法有助于在拓扑绝缘体中实现各种新奇的量子效应,并可推广于其他外延生长的低维系统.
韦庞李康冯硝欧云波张立果王立莉何珂马旭村薛其坤
关键词:拓扑绝缘体钛酸锶光刻
拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应被引量:13
2014年
量子霍尔效应是一种可以在宏观尺度出现的量子现象,由二维电子系统在强磁场下所具有的独特拓扑性质所引起.长期以来人们一直希望能够实现不需外磁场的量子霍尔效应,以便将其应用于低能耗电学器件.磁性拓扑绝缘体薄膜可能具有的量子化的反常霍尔效应即是一种可以在零磁场下出现的量子霍尔效应.本文介绍了拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应的概念发展及量子反常霍尔效应如何在磁性掺杂拓扑绝缘体中实验实现,并探讨了量子反常霍尔效应在低能耗器件方面的应用前景.
何珂王亚愚薛其坤
关键词:量子霍尔效应拓扑绝缘体
SrTiO3(001)衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长被引量:1
2016年
近几年,由于用分子束外延法在SrTiO_3衬底表面制备的单层FeSe具有很高的超导转变温度而引发了极大的研究热潮,随之而来的是对多层FeSe薄膜日益增长的研究兴趣.但目前还没有对成功生长高质量多层FeSe薄膜的详细报道.本文利用高能电子衍射仪(RHEED)实时监控在不同生长条件下制备的多层FeSe薄膜,发现在FeSe薄膜的生长初期,RHEED图像的强度演化基本符合台阶密度模型的描述特征,即台阶密度ρ正相关于衍射条纹强度.FeSe(02)衍射条纹的强度在第一生长周期内呈现稳定而明显的峰型振荡,而且不受高能电子掠射角的影响,最适合用来标定FeSe薄膜的厚度.结合扫描隧道显微镜对FeSe薄膜质量的原位观察,确定了制备多层FeSe薄膜的最佳生长条件,为FeSe薄膜的物性研究提供了重要的材料基础.
张马淋葛剑峰段明超姚钢刘志龙管丹丹李耀义钱冬刘灿华贾金锋
关键词:FESE分子束外延
铜箔上生长的六角氮化硼薄膜的扫描隧道显微镜研究
2016年
利用扫描隧道显微镜研究了采用化学气相沉积法在铜箔表面生长出的高质量的六角氮化硼薄膜.大范围的扫描隧道显微镜图像显示出该薄膜具有原子级平整的表面,而扫描隧道谱则显示,扫描隧道显微镜图像反映出的是该薄膜样品的隧穿势垒空间分布.极低偏压的扫描隧道显微镜图像呈现了氮化硼薄膜表面的六角蜂窝周期性原子排列,而高偏压的扫描隧道显微镜图像则呈现出无序和有序排列区域共存的电子调制图案.该调制图案并非源于氮化硼薄膜和铜箔衬底的面内晶格失配,而极有可能来源于两者界面处的氢、硼和/或氮原子在铜箔表面的吸附所导致的隧穿势垒的局域空间分布.
徐丹殷俊孙昊桦王观勇钱冬管丹丹李耀义郭万林刘灿华贾金锋
关键词:氮化硼扫描隧道显微镜
In situ electrical transport measurement of superconductive ultrathin films
2015年
The discovery of an extraordinarily superconductive large energy gap in SrTiO3 supported single-layer FeSe films has recently initiated a great deal of research interests in surface-enhanced superconductivity and superconductive ultrathin films fabricated on crystal surfaces. On account of the instability of ultra-thin films in air, it is desirable to perform elec- trical transport measurement in ultra-high vaccum (UHV). Here we review the experimental techniques of in situ electrical transport measurement and their applications on superconductive ultrathin films.
刘灿华贾金锋
关键词:FESE
共1页<1>
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