广东省战略性新兴产业专项(2010A081002005)
- 作品数：9 被引量：15H指数：2
- 相关作者：范广涵郑树文张涛丁彬彬张运炎更多>>
- 相关机构：华南师范大学广东工业大学更多>>
- 发文基金：广东省战略性新兴产业专项国家自然科学基金广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Be和Ca掺杂纤锌矿ZnO的晶格常数与能带特性研究被引量：4
- 2012年
- 利用密度泛函理论平面波的赝势方法,对Be、Ca掺杂纤锌矿ZnO的BexZn1-xO,CayZn1yO三元合金和BexCayZn1-xyO四元合金的晶格常数、能带特性和形成能进行计算,结果表明:BexZn1-xO晶格常数随Be掺杂量的增大线性减小,但CayZn1yO晶格常数随Ca掺杂量的增大而增大.BexZn1-xO和CayZn1-yO能带的价带顶都由O2p态电子占据,导带底由Zn4s态电子占据,其能隙随Be或Ca掺杂量的增大而变宽.由Be和Ca共掺ZnO得到的Be0.125Ca0.125Zn0.75O四元合金,其晶格常数与ZnO相匹配,能隙比ZnO大,稳定性优于Be0.25Ca0.125Zn0.625O和Be0.5Zn0.5O合金,Be0.125Ca0.125Zn0.75O/ZnO异质结构适合制作高质量ZnO基器件.
- 郑树文范广涵章勇何苗李述体张涛
- 关键词：密度泛函理论晶格常数
- 纤锌矿Be_xZn_(1-x)O合金能隙弯曲系数的第一原理研究
- 2013年
- 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对纤锌矿BexZn1-xO合金进行能隙特性、弯曲系数和结构参数的计算.结果表明:BexZn(1-x)O合金的能隙和弯曲系数都随Be掺杂组分的增大而增大.通过修正BexZn(1-x)O合金的能隙值得知其合金弯曲系数b为6.02eV,这与实验值接近.纤锌矿BexZn(1-x)O合金的能隙弯曲系数过大主要来源于体积形变和电荷转移的贡献.文中还分析了BexZn(1-x)O合金的晶格常数、平均键长和平均次近邻原子距离与Be组分的关系.
- 郑树文范广涵张涛苏晨宋晶晶丁彬彬
- 关键词：第一性原理能隙
- 量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究
- 2012年
- 采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长发光二极管发光光谱的调控问题.在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、载流子复合速率、能带结构、发光光谱进行分析,结果表明,调节最了阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱,解决发光光谱调控难的问题.这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用.
- 刘小平范广涵张运炎郑树文龚长春王永力张涛
- 关键词：数值模拟
- 渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究被引量：1
- 2012年
- 采用软件理论分析的方法对渐变型量子阱垒层厚度的InGaN双波长发光二极(LED)的载流子浓度分布、能带结构、自发发射谱、内量子效率、发光功率及溢出电子流等进行研究.分析结果表明,增大量子阱垒层厚度会影响空穴在各量子阱的注入情况,对双波长LED各量子阱中空穴浓度分布的均衡性及双波长发光光谱的调控起到一定作用,但会导致内量子效率严重下降;而当以特定的方式从n电极到p电极方向递减渐变量子阱垒层厚度时,活性层量子阱的溢出电子流得到有效的控制,双发光峰强度达到基本一致,同时芯片的内量子效率下降得到了有效控制,且具备大驱动电流下较好的发光特性.
- 陈峻范广涵张运炎
- 关键词：GAN内量子效率
- LED产业MOCVD设备专利信息分析被引量：1
- 2013年
- 通过世界专利索引数据库(DWPI)对MOCVD设备专利进行全面检索,然后进行人工标引,剔除不相关专利,经过引证、权利要求项、诉讼等指标的筛选,对AIXTRON的喷淋头结构技术和VECOO公司的MOCVD托盘技术专利进行分析和预警。在"七国两组织"专利数据库与综合专利检索分析系统中,检索出中国的MOCVD设备申请专利,将国内申请和来华申请专利的关键技术点进行比对分析。通过核心技术分析和预警、关键技术点比对分析为中国在这些技术领域做出专利部署或技术研发,制定出适合LED产业MOCVD设备自主知识产权发展战略和政策提供一定的参考和依据。
- 喻晓鹏范广涵丁彬彬郑树文张涛
- 关键词：MOCVD设备预警
- 新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高(英文)被引量：2
- 2013年
- 分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。
- 丁彬彬赵芳宋晶晶熊建勇郑树文喻晓鹏许毅钦周德涛张涛范广涵
- 关键词：发光二极管(LED)
- 具有三角形InGaN/GaN多量子阱的高内量子效率的蓝光LED(英文)被引量：5
- 2013年
- 对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。
- 赵芳张运炎宋晶晶丁彬彬范广涵
- 关键词：发光二极管数值模拟
- Be_(1-x)Mg_xO合金的能带特性与相结构稳定性研究被引量：2
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,对纤锌矿和岩盐矿结构Be_(1-x)Mg_xO合金的晶格常数、能带特性和形成能进行计算,分析了不同Mg组分下不同结构的Be_(1-x)Mg_xO合金晶格常数和能带差异.结果表明:随着Mg组分的增大,纤锌矿和岩盐矿Be_(1-x)Mg_xO合金的晶格常数都线性增加,但它们的能隙都逐渐减小.对于相同Mg组分的Be_(1-x)Mg_xO合金,岩盐矿结构的能隙要大于纤锌矿结构.当Mg组分为0.89时,Be_(1-x)Mg_xO合金由纤锌矿相转变为岩盐矿相.为了使理论值与实验值相一致,对Be_(1-x)Mg_xO合金的能隙计算值进行修正,得到纤锌矿和岩盐矿Be_(1-x)Mg_xO合金的能隙弯曲系数b值分别为3.451 eV和4.96 eV.对纤锌矿BeO-MgO-ZnO三元合金的能隙和弯曲系数与晶格常数关系做了分析.
- 郑树文范广涵李述体张涛苏晨
- 关键词：密度泛函理论相稳定性
- 选择性p型量子阱垒层掺杂在双波长发光二极管光谱调控中的作用
- 2012年
- 采用软件理论分析的方法对选择性p型掺杂量子阱垒层在InGaN双波长发光二极管(LED)中的光谱调控作用进行模拟分析.分析结果表明,选择性P型掺杂对量子阱中电子和空穴浓度分布的均衡性起到一定的调控作用,在适当选择p型掺杂量子阱垒层层数的条件下,能够改善量子阱中载流子的辐射复合速率,降低溢出电子浓度,从而有效提高芯片内量子效率,并减缓内量子效率随驱动电流增大而快速下降的趋势.随着活性层量子阱增加到特定数量,选择性P型掺杂的调控效果更加明显,LED芯片的双波长发光峰强度达到基本均衡.
- 陈峻范广涵张运炎
- 关键词：INGANP型掺杂数值模拟
