国家自然科学基金(61171038)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：浙江大学教育部更多>>
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- Yua n-dong LiDe-miao WangHao JinJing-ping LuJian Zhou
- 关键词：SPUTTERINGAZOTCO
- LDMOS器件软失效分析及优化设计被引量：1
- 2014年
- 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件,传输线脉冲(TLP)测试表明,器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效,漏电流从2.19×10-9 A缓慢增至7.70×10-8 A。接着,对LDMOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行了仿真,通过对比发现电场诱导的体穿通是引起软失效及漏电流增大的主要原因。最后,用深注入的N阱替代N型轻掺杂漏版图制备了LDMOS器件,TLP测试和仿真结果均表明,抑制的体穿通能有效削弱软失效,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护。
- 黄龙梁海莲毕秀文顾晓峰曹华锋董树荣
- 关键词：横向扩散金属氧化物半导体静电放电
- 基于ZnO/Si结构的声表面波器件设计研究被引量：4
- 2013年
- 微机电系统(MEMS)工艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件。声表面波(SAW)器件是性能优良的MEMS器件。该文利用多物理耦合场软件COMSOL Multiphysics仿真了氧化锌/硅(ZnO/Si)结构SAW谐振器,并得到其S11参数。对应于仿真,该文制造了该种结构的SAW器件。实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备,所制备的ZnO具有良好的(002)取向。实验测得的ZnO/Si结构SAW器件的中心频率为111.6MHz,与仿真结构接近。
- 何兴理周剑金浩董树荣王德苗
- 关键词：声表面波氧化锌硅
