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国家自然科学基金(60906033)
国家自然科学基金(60906033)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 相关作者：刘玮孙云姜伟龙何青李凤岩更多>>
- 相关机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市科技创新专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程更多>>
- 聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善被引量：1
- 2010年
- 为改善聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se(IGS)薄膜的新掺Na工艺。结果表明:这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。
- 姜伟龙何青刘玮于涛刘芳芳逄金波李凤岩李长健孙云
- 关键词：附着性
- 低温超薄高效Cu(In,Ga)Se_2太阳电池的实现被引量：1
- 2013年
- 衬底温度保持恒定,在Se气氛下按照一定的元素配比顺序蒸发Ga,In,Cu制备厚度约为0.7μm的Cu(In0.7Ga0.3)Se2(CIGS)薄膜.利用X射线衍射仪分析薄膜的晶体结构及物相组成,扫描电子显微镜表征薄膜形貌及结晶质量,二次离子质谱仪测试薄膜内部元素分布,拉曼散射谱分析薄膜表面构成,带积分球附件的分光光度计测量薄膜光学性能.研究发现在Ga-In-Se预制层内,In主要通过晶界扩散引起Ga/(Ga+In)分布均匀化.衬底温度高于450C时,薄膜呈现单一的Cu(In0.7Ga0.3)Se2相;低于400C,薄膜存在严重的Ga的两相分离现象,且高含Ga相主要存在于薄膜的上下表面;低于300C,薄膜结晶质量进一步恶化.薄膜表层的高含Ga相Cu(In0.5Ga0.5)Se2以小晶粒形式均匀分布于薄膜表面,增加了薄膜的粗糙度,在电池内形成陷光结构,提高了超薄电池对光的吸收.加上带隙值较小的低含Ga相的存在,使电池短路电流密度得到较大改善.衬底温度在550C—350C变化时,短路电流密度JSC是影响超薄电池转换效率的主要因素;而衬底温度Tsub低于300C时,开路电压VOC和填充因子FF降低已成为电池性能减退的主要原因.Tsub为350C时制备的0.7μm左右的超薄CIGS电池转换效率达到了10.3%.
- 韩安军孙云李志国李博研何静靖张毅刘玮
- 关键词：衬底温度超薄太阳电池
- 掺Na制备柔性聚酰亚胺衬底CIGS薄膜太阳电池被引量：4
- 2010年
- 研究了Na掺入对低温沉积柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的结构和电学特性影响。研究结果表明:Na元素的掺入使Ga元素的扩散受到了阻滞,但对CIGS薄膜晶粒尺寸没有明显的影响,少量的Na可提高CIGS薄膜的载流子浓度和降低电阻率;Na的掺入可明显提高CIGS薄膜太阳电池的器件特性,通过优化掺Na工艺,制备的柔性PI衬底—CIGS薄膜太阳电池的最高转换效率达到10.4%。
- 姜伟龙张力何青刘玮于涛逢金波李凤岩李长健孙云
