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高功率半导体激光国家重点实验室基金(05ZS3606)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：张苗魏星薄报学陈静王曦更多>>
相关机构：长春理工大学中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：高功率半导体激光国家重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇导体
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇条形半导体激...
  • 1篇斜率效率
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇GAAS/A...

机构

  • 1篇长春理工大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇乔忠良
  • 1篇王曦
  • 1篇陈静
  • 1篇薄报学
  • 1篇魏星
  • 1篇张苗

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器
2008年
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。
魏星乔忠良薄报学陈静张苗王曦
关键词：湿法刻蚀斜率效率
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共1页<1>
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