广州市科技计划项目(2002JI-C0191)
- 作品数：3 被引量：10H指数：1
- 相关作者：陈志雄周方桥梁鸿东牛丽霞庄严更多>>
- 相关机构：广州大学中国电子科技集团公司第七研究所更多>>
- 发文基金：广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- 二次热处理的SrTiO_3压敏陶瓷电性能的研究被引量：1
- 2005年
- 采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26～107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的.
- 牛丽霞周方桥陈志雄庄严
- 关键词：电子技术SRTIO3
- 氧扩散热处理SrTiO_3压敏电阻的非线性和界面势垒被引量：10
- 2004年
- 伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小。分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关。复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理温度增高而增大的实验事实,为扩散层的存在及其变化提供了间接证明。
- 陈志雄庄严周方桥李红耘熊西周梁鸿东
- 关键词：SRTIO3压敏电阻非线性
- 氧化热处理SrTiO_3压敏电阻的电容弥散频率
- 2006年
- 经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符。热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因。
- 陈志雄庄严李红耘丁志文熊西周
- 关键词：电子技术SRTIO3压敏电阻
