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国家自然科学基金(5001161953)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：杨辉陈俊段俐宏朱建军冯淦更多>>
相关机构：中国科学院四川大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇导体
  • 1篇宽带隙
  • 1篇宽带隙半导体
  • 1篇宽带隙半导体...
  • 1篇缓冲层
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇GAN
  • 1篇MOCVD
  • 1篇成核

机构

  • 1篇四川大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张书明
  • 1篇王玉田
  • 1篇张宝顺
  • 1篇郑文琛
  • 1篇冯淦
  • 1篇朱建军
  • 1篇段俐宏
  • 1篇陈俊
  • 1篇杨辉

传媒

  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响被引量：2
2004年
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,GaN缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长GaN岛间合并延迟.X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明,GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善.
陈俊张书明张宝顺朱建军冯淦段俐宏王玉田杨辉郑文琛
关键词：缓冲层MOCVD成核宽带隙半导体材料
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