教育部科学技术研究重大项目(206024)
- 作品数：10 被引量：16H指数：3
- 相关作者：云国宏那日苏荣建红郑琳白宇浩更多>>
- 相关机构：内蒙古大学内蒙古师范大学包头师范学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金教育部科学技术研究重大项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 磁场对体心立方双层铁磁性薄膜中的自旋波能谱的影响
- 2006年
- 采用界面重参数化方法,在周期性边界条件下严格求解了界面铁磁耦合的体心立方异质型双层铁磁性薄膜自旋波本征值问题,研究了两层薄膜中自旋波能带结构.在此基础上重点讨论了垂直于膜面的外加磁场对自旋波能带结构的影响,结果表明,磁场对自旋波的能带结构有很大的影响,足够大的磁场可以使体模消失.
- 武晓霞云国宏
- 关键词：磁场
- 磁致伸缩薄膜-基底悬臂梁微致动器的设计与优化被引量：5
- 2007年
- 从最基本的力学平衡方程出发获得了适应于任意磁膜/基底厚度比、自由端施加点荷载的磁膜-基底悬臂梁系统弯曲问题的严格解,针对材料的几何参数和物理参数着重分析研究了构成微致动器悬臂梁的设计与优化问题,给出了微致动器应用的最佳条件,并澄清了一些理论问题.结果表明:当基底厚度固定时,磁膜和基底厚度之比越大,悬臂梁的带载能力越强,即输出力越大;而当悬臂梁整体厚度固定时,其自由端的输出力将出现唯一的极大值,此极大值随着材料强度比的增加将减小,同时相应的厚度比将减小.无论是基底的还是整体的厚度固定,悬臂梁中两种材料的Poisson比对其自由端输出力的影响都很大,不可忽略.
- 那日苏云国宏荣建红
- 关键词：悬臂梁挠度致动器
- 磁膜-衬底悬臂梁系统中薄膜应力与应变分析
- 2008年
- 运用能量极小原理,研究了磁性薄膜-非磁衬底悬臂梁系统的弯曲问题,着重分析了悬臂梁体系的中平面、磁膜内应力和应变与构成悬臂梁的两种材料的几何参数和物理参数的关系,给出了这些参数对磁膜-衬底悬臂梁系统弯曲特性的影响.结果表明,由于磁致伸缩效应是各向异性膨胀,体系的中平面在一般情况下是各向异性的.随着磁膜厚度的增加,中平面迅速下降,同时衬底对磁膜的束缚减小,从而释放了磁膜内应力,即应力减小;而磁膜应变随膜厚增加而增加.材料泊松比对垂直于磁化方向的应力和应变以及中平面的影响较大.但是,对磁化方向的应力、应变中平面的影响很小,这一性质来源于磁化方向上磁膜主动伸缩效应.
- 那日苏云国宏
- 关键词：悬臂梁应力
- 超磁致伸缩多层悬臂梁的场致弯曲
- 利用四参量模型系统研究了由超磁致伸缩 (GMS)薄膜材料制备的多层悬臂梁的弯曲问题,其中包括 GMS/NMS(非磁衬底)、GMS/GMS、GMS/NMS/GMS 等悬臂梁体系．针对此3类悬臂梁研究了它们的弯曲挠度等弯曲特...
- 那日苏云国宏
- 关键词：超磁致伸缩材料悬臂梁挠度传感器
- 文献传递
- 磁致伸缩薄膜-基底悬臂梁系统的弯曲特性研究被引量：2
- 2007年
- 从基本力学平衡方程出发获得了任意薄膜厚度的磁膜-基底悬臂梁系统弯曲问题的严格解,研究了悬臂梁系统作为弯曲型微传感器件的应用优化问题,并重点分析了构成悬臂梁的两种材料的几何参数和物理参数对悬臂梁自由端最大挠度值的影响.结果表明:在基底厚度确定的情形下,当磁膜/基底的弹性模量比值增加时,悬臂梁自由端挠度的最大值增大,但对应挠度最大值的最优厚度比值则减小;而当悬臂梁的总尺度确定时,系统的挠度最大值与磁膜和基底材料的弹性模量和Poisson比无关.
- 那日苏云国宏
- 关键词：悬臂梁挠度传感器
- 巨磁致伸缩薄膜-衬底悬臂梁系统的力学特性被引量：1
- 2008年
- 利用四参量能量极小化方法求解了任意薄膜/衬底厚度比悬臂梁系统的弯曲问题.在此基础上重点分析了磁膜应力和应变与构成悬臂梁的两种材料的几何参数和物理参数的关系,给出了这些参数对磁膜-衬底悬臂梁系统中平面弯曲特性的影响.计算结果表明,中平面在一般情况下是各向异性的,且随着磁膜厚度的增加中平面迅速下降;磁膜应力随着膜厚增加而减小,应变随膜厚增加而增加;材料泊松比对垂直于磁化方向的应力和应变以及中平面的影响很大,但是,泊松比对磁化方向的应力、应变和中平面的影响很小,可以忽略不计.
- 云国宏那日苏
- 关键词：巨磁致伸缩材料
- 双二次耦合场对铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置场的影响
- 2009年
- 研究了界面双线性耦合和双二次耦合对铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置场的影响.结果表明:随着双线性耦合场或双二次耦合场的增加,交换偏置场的最大值位置向易轴靠近.另外,交换偏置场随外磁场角度的变化曲线随着双二次耦合场的增加,逐渐趋于正弦图像.其根源在于双二次耦合场与铁磁层单轴各向异场二者作用相互抵消,使曲线趋于光滑.铁磁层的磁滞回线对双二次耦合场也有一定的依赖.
- 郑琳云国宏荣建红
- 关键词：交换偏置场
- 外应力对铁磁/反铁磁体系交换偏置的影响及阶跃现象被引量：7
- 2009年
- 采用能量极小原理及S-W模型研究了外应力对铁磁/反铁磁(FM/AFM)双层薄膜体系交换偏置的影响.不施加外磁场时,根据能量与铁磁层磁化强度方向之间的关系,指出体系存在单稳态和双稳态两种不同的状态,是由交换各向异性与单轴各向异性之间的竞争控制的.体系处于单稳态还是双稳态直接决定着交换偏置的角度依赖关系.分析磁化过程发现,外磁场沿内禀易轴及内禀难轴方向施加时,磁滞回线的一支转换场发生突变,而另一支转换场则保持不变,最终导致交换偏置场和矫顽场出现阶跃行为.数值计算表明,交换偏置场和矫顽场在阶跃点均具有较大的数值.外应力的大小及方向对交换偏置均有很大的影响,均可以使体系在单稳态与双稳态之间转变,导致角度依赖关系发生显著变化.研究表明,外应力可作为一种可行的方法来控制和调节FM/AFM体系的交换偏置.
- 白宇浩云国宏那日苏
- 关键词：单稳态双稳态
- 双层薄膜中界面交换作用对自旋波能带结构的影响被引量：3
- 2007年
- 讨论了界面交换作用的变化对由面心立方晶格(100)构成的铁磁双层薄膜的自旋波能带结构的影响.结果表明,界面交换作用的变化对界面模能量的大小及界面模在二维布里渊区的存在范围影响很大,但不会影响体模能带结构的变化趋势.
- 史晓霞云国宏
- 关键词：体模
- 应力对铁磁/反铁磁双层体系交换偏置场的影响被引量：1
- 2007年
- 研究在铁磁/反铁磁层体系中,当铁磁层中存在应力时对体系交换偏置场的影响.分别计算了改变应力大小和方向两种情况下,磁滞回线的变化以及偏置场随外磁场角度依赖关系的改变.结果表明:应力场沿着易轴方向时,偏置场随外磁场角度依赖关系表现为随着应力场的增大,偏置场的最大值变大,其最大值所对应的位置逐渐远离易轴.在外磁场与易轴成一定角度时,交换偏置场向左移动,并且阻碍沿磁场方向的磁化随着应力场的增加;当应力场旋转90°时,偏置场随外磁场角度依赖关系表现为随着应力场的增大,偏置场的最大值减小,其最大值所对应的位置逐渐靠近易轴.在外磁场与易轴成一定角度时,交换偏置场向右移动,并且促进沿磁场方向的磁化随着应力场的增加.
- 郑琳云国宏
- 关键词：应力场交换偏置场磁滞回线
