河北省自然科学基金(F2009000124)
- 作品数：2 被引量：11H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 缓冲层对外延生长GaN薄膜性能的影响被引量：2
- 2011年
- 用分子束气相外延生长(MBE)法,通过改变缓冲层AlN的生长时间沉积GaN薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱仪(Raman Spectroscropy),测试GaN薄膜的应力、平整度、粗糙度、晶体质量.研究了不同生长时间的缓冲层对GaN薄膜性能的影响,结果发现:生长30 min的缓冲层的样品B中的应力小于生长20 min缓冲层的样品A,并且样品B在晶体质量、平整度、粗糙度方面均优于样品A.
- 梅俊平王敏解新建刘彩池
- 关键词：GAN薄膜缓冲层应力原子力显微镜扫描电镜
- MOCVD外延生长GaN材料的技术进展被引量：9
- 2010年
- 第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。
- 张冠英梅俊平解新建
- 关键词：氮化镓MOCVD设备
