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中国博士后科学基金(20110491758)

作品数：1 被引量：6H指数：1
相关作者：杨培志李学铭廖承菌唐利斌更多>>
相关机构：云南师范大学昆明物理研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇金属
  • 1篇催化

机构

  • 1篇昆明物理研究...
  • 1篇云南师范大学

作者

  • 1篇唐利斌
  • 1篇廖承菌
  • 1篇李学铭
  • 1篇杨培志

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
化学刻蚀制备黑硅材料的研究现状及展望被引量：6
2012年
基于黑硅材料的发展,讨论了国内外化学刻蚀制备黑硅的研究进展,包括掩膜辅助、金属离子辅助化学刻蚀。结果表明,黑硅材料的表面特殊结构能够有效降低硅表面的反射率,从而提高太阳能电池转换效率。此外,化学刻蚀法制备黑硅简便易行、成本低廉,高效可靠,具有良好的发展前景。
李学铭廖承菌唐利斌杨培志
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