上海市科学技术委员会资助项目(075007033)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：石艳玲刘婧曹福全黄浩叶红波更多>>
- 相关机构：华东师范大学上海集成电路研发中心更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 金属线宽与间距渐变的片上螺旋电感设计规则研究被引量：2
- 2008年
- 在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并得到了实验验证,多组样品的测试结果与数值分析结果相吻合,以2.4GHz频段处为例,在高阻硅衬底上制备的5nH渐变结构电感的品质因子Q为11,比具有相同外径和电感值的固定金属线宽及间距的传统电感高19.6%。
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- 关键词：片上螺旋电感品质因子
- HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究被引量：1
- 2009年
- 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。
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- 深亚微米工艺下芯片的差分静态电流测试分析
- 2008年
- 在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流(ΔIddq)测试原理的基础上,提出了一套深亚微米工艺下芯片的ΔIddq辅助测试解决方案。通过样本芯片,检验了ΔIddq测试方法的有效性;并根据检验结果,提出了Δ归一化的改进技术。经验证,这种优化后的ΔIddq辅助测量技术可有效筛选出功能测试不能覆盖的故障类型,提高了测试覆盖率。
- 曹福全石艳玲陈哲甘甜温秀芝刘婧
- 关键词：深亚微米器件
