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陕西省科技统筹创新工程计划项目(2011KTCQ01-19)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：董刚吴晓鹏杨银堂更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金陕西省科技统筹创新工程计划项目国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇静电放电
  • 1篇可调
  • 1篇保护器件
  • 1篇NMOS
  • 1篇ESD保护
  • 1篇ESD保护器...
  • 1篇传输线脉冲
  • 1篇VERILO...

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇杨银堂
  • 1篇吴晓鹏
  • 1篇董刚

传媒

  • 1篇兰州大学学报...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究
2013年
针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.
吴晓鹏杨银堂董刚
关键词：静电放电传输线脉冲
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